R-SiC
Свойства и области применения
Карбид кремния - лучший выбор среди высокопроизводительных материалов
Карбид кремния обладает замечательными эксплуатационными характеристиками. Он обладает чрезвычайно высокой твердостью и сильной износостойкостью. Его теплопроводность высока, что обеспечивает ему отличную теплоотдачу. Кроме того, он обладает хорошей химической стабильностью и устойчив к коррозии.
R-SiC
Рекристаллизованный карбид кремния
Рекристаллизованный карбид кремния (R-SiC) - это высокоэффективный материал, образующийся при высокой температуре свыше 2000°C, уступающий по твердости только алмазу, который сохраняет многие превосходные свойства SiC, такие как высокая температурная прочность, сильная коррозионная стойкость, отличная устойчивость к окислению, хорошая устойчивость к тепловому удару и т.д.
Свойства
Высокая твердость
Твердость по шкале Мооса составляет 9,2-9,5, уступая лишь алмазу и кубическому нитриду бора, что делает его пригодным для изготовления износостойких деталей.
Высокая прочность
Сохраняет высокую прочность при повышенных температурах: предел прочности при изгибе при 1000°C достигает 80%-90% от значения при комнатной температуре.
Высокая теплопроводность
Отличный теплоотвод с теплопроводностью 170-220 Вт/(м-К) при 20°C, идеально подходит для компонентов, требующих эффективного теплообмена.
Низкий коэффициент теплового расширения
Коэффициент теплового расширения 4,0×10-⁶-4,5×10-⁶/°C (20-1000°C), что обеспечивает превосходную устойчивость к тепловым ударам и стабильность размеров при резких изменениях температуры.
Химическая стабильность
Химически инертен к большинству кислот и щелочей при комнатной температуре, вступает в реакцию с сильными окислителями только при высоких температурах, подходит для работы в жестких химических средах.
Устойчивость к коррозии
Устойчив к расплавленным металлам и солям, широко применяется в металлургической и химической промышленности.
Превосходные электрические свойства
Высокое удельное сопротивление (1,0×10-³-1,5×10-³ Ω-м при 1600°C) для использования в качестве нагревательных элементов высокотемпературных печей, а полупроводниковые характеристики позволяют применять их в электронных устройствах.
Области применения
Полупроводниковая и фотоэлектрическая промышленность
Выращивание монокристаллов кремния/ SiC
Опоры для кварцевых тиглей: Устойчивый рост кремниевых слитков при 1500°C без загрязнения углеродом (свободный кремний 0%).
Компоненты печи для выращивания кристаллов SiC: Снижение плотности дефектов (например, дислокаций) при производстве эпитаксиальных пластин 4H-SiC.
Технологическое оборудование для эпитаксии
Камерные суспензоры CVD: Выдерживает 1600°C для обеспечения равномерного осаждения на поверхности пластин.
Высокотемпературное промышленное оборудование
Нагревательные элементы вакуумных печей
Заменяйте графитовые элементы в инертной атмосфере при температуре до 2000°C, избегая загрязнения углеродом (например, в печах для производства монокристаллов сапфира).
Лучистые трубки и теплообменники
Лучистые трубы печей науглероживания служат 8 лет (по сравнению с 1-2 годами для металлических труб); рекуператоры отходящих газов устойчивы к истиранию частицами.
Атомная энергетика и аэрокосмическая промышленность
Компоненты ядерных реакторов
Топливная оболочка для высокотемпературных газоохлаждаемых реакторов, устойчивая к нейтронному облучению и коррозии CO₂ (≤1600°C).
Тепловая защита космических аппаратов
Термобарьерные подложки для покрытия возвращаемых аппаратов, выдерживающих аэродинамический нагрев до 1800°C (например, китайские лунные зонды "Чанъэ").
Тепловое управление электронными устройствами
Подложки для мощных микросхем
Подложки для модулей усилителей базовых станций 5G с теплопроводностью 170-220 Вт/(м-К), в 3 раза эффективнее алюминия.
Светодиодные радиаторы
Замена металлов в упаковке светодиодов высокой яркости для устранения несоответствия теплового расширения.
Специализированная керамика и оптика
Лазерные окна и линзы
Лазерные выходные стекла CO₂ с коэффициентом пропускания >95%, выдерживающие тепловой поток 200 Вт/см².
Упаковка высокочастотных устройств
Материалы для радарных куполов, сочетающие высокую теплопроводность и низкие диэлектрические потери (ε≈4,5).
Химическая и металлургическая промышленность
Оборудование для обработки расплавленного металла
Горшки для дистилляции цинковой плавки, устойчивые к коррозии паров цинка при температуре 1000°C (срок службы в 3 раза больше, чем у графита).
Коррозионно-стойкие облицовки реакторов
Футеровка печей для синтеза соляной кислоты, устойчивая к эрозии Cl₂ и HCl.
Рекомендации по выбору
Идеально подходит для
① Сверхвысокие температуры (>1600°C) или среды с высокой степенью чистоты.
② Критические требования к теплопроводности и химической стабильности.
③ Длительное воздействие экстремальных температурных циклов (например, ядерные реакторы).
Альтернативы
SiSiC (силицированный карбид кремния) для бюджетов <1600°C; RBSiC (реакционно-связанный карбид кремния) для сложных форм с чувствительностью к стоимости".
Примеры продуктов
Настройте свои детали уже сегодня!
Мы обладаем широким спектром технологий для изготовления продукции из карбида кремния на заказ, таких как технология материалов, технология обработки, технология проектирования и технология комплексного процесса от материалов до продукции. Поэтому мы способны удовлетворить различные требования по изготовлению продукции на заказ. Если вам нужны дополнительные решения или вы хотите узнать о других видах технологического процесса производства изделий из карбида кремния, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой инженеров.
