Ar redadeg didruez war-lerc'h surentez gwellaet, araokadur dreist ha kresk efedusted e kemeriadoù kirri hag greantel he deus degaset un tremen patrom e skiant an danvezioù. Sistemioù freñvañ hengounel, daoust dezho da vezañ oberiant, a dizh alies o bevennoù dindan aozioù diaes evel tizhioù uhel, kargioù ponner pe kelc'hiadoù harz alies. Setu amañ e produioù silikiom karbid (SiC) personelaet a gemer perzh, o kinnig ul lamm bras e teknologiezh ar freñvañ. Silikiom karbid, un técnica cerâmicadanvez

Nerzh Didroc'hus: Perak e Tremen Silikiom Karbid e Kemeriadoù Freñvañ

Kuzh araokadur dibar silikiom karbid e sistemioù freñvañ a zo e perzhioù danvez diazez. Disheñvel diouzh houarn teuzet boas pe memes kenaozadoù matriks keramikel standart, SiC a ginnig ur c'hevredad dibar a berzhioù a dreuzkas war-eeun da freñvañ dreist. E gonduktivelezh termek uhel, a dremen alies 120W/mK hervez ar renk, a aotre pladennoù freñv SiC da zispignañ tommder efedusoc'h eget danvezioù hengounel. An dispign tommder buan-se a zo pouezus evit mirout ouzh dislonkadenn ar freñv, un darvoud dañjerus ma tigresk efedusted ar freñvañ abalamour da dommder re, dreist-holl e-pad senarioioù freñvañ hir pe argasus.

Ouzhpenn-se, silikiom karbid a c'hourc'hemen kaleter strizh, o renkañ alies a-us da 9 war skeul Mohs, eil goude an diamant hepken. Ar galeter endalc'het-se a dreuzkas da rezistañs ouzh an usadur. dibar. Rotorioù freñv silikiom karbid Da lavaret eo nebeutoc'h a erlec'hiadennoù, koustioù dreist-kaout bihanaet hag araokadur freñvañ fiziusoc'h a-hed buhez oberiant ar c'harbed pe an aveadur.

Ur binvidigezh kritik all eo stankter izel a-walc'h SiC (war-dro 3.1−3.2g/cm3) e-keñver houarn (war-dro 7.8g/cm3). Degas a ra un digresk bras e mas didarzh pa vez implijet evit parzhioù evel pladennoù freñv. Mas didarzh izeloc'h a zegas da dretiñ ar c'harbed gwellaet, d'ar respont hag memes da efedusted an tireoul. Feur nerzh-da-bouez uhel an danvez a sura ne zigresk ket an digresk pouez-se an integrited mekanikel rekis evit freñvañ suren hag efedus. Ouzhpenn-se, SiC a zalc'h e nerzh mekanikel memes e gwrezverkoù savet, un elfenn kritik e darvoudoù freñvañ energiezh uhel ma c'hell ar gwrezverkoù pignat. E inerted kimiek a dalvez ivez e vez rezistus-tre ouzh daskrignerezh holen an hentoù, glebor hag elfennoù all an endro, o astenn pelloc'h e vuhez servij ha suraat araokadur kendalc'hus.

Evit embregerezhioù a glask diskoulmoù OEM SiC pe dre vras parzhioù freñv silikiom karbid, , kompren ar steuñvioù skiantel-se a zo alc'hwez evit priziañ ar c'hinnig talvoudek. Embregerezhioù evel CAS new materials (SicSino), lec'hiet e Kêr Weifang, kreizenn fardañ parzhioù silikiom karbid personelaet Sina, a implij ar binvidigezhioù danvez endalc'het-se evit produiñ parzhioù freñvañ troc'h-blein. Gant ur gomprehension don eus skiant danvez SiC, broudet dre genlabour gant Akademiezh Sina ar Skiantoù (CAS), SicSino a zo e penn ar sevel hag ar pourchas diskoulmoù SiC galite uhel personelaet evit kemeriadoù freñvañ diaes er bed a-bezh.

Galloud Harz Aozaet: Binvidigezhioù Parzhioù Freñv Silikiom Karbid Personelaet

An tremen war-zu parzhioù freñv silikiom karbid personelaet a zo broudet gant ar gomprehension n'eo ket trawalc'h un hentenn ment-unan-a-ya-da-bep-tra evit ezhommoù liesseurt ha diaes kirri modern ha mekanikerezh greantel. Ar personelaat a aotre da optimizañ araokadur, padelezh hag enframmadur ar sistem freñvañ, aozaet da gendestenn oberiant ispisial. Pe e vefe evit kirri sport araokadur uhel a rank kaout rezistañs dislonkadenn ha modulañ dibar, karrsammioù ponner a rank kaout galloud harz fizius dindan kargioù strizh, pe aveadur greantel arbennikaet a labour en endroioù garv, diskoulmoù SiC personelaet a ginnig binvidigezhioù fetis.

Unan eus ar binvidigezhioù kentañ eo ar barregezh da ijinourel perzhioù termek ar sistem freñvañ. En ur zibab renkoù SiC ispisial ha designañ parzhioù evel pladennoù freñv SiC personelaet gant patromoù aeradur optimizet, e c'hell ar farderien tizhout dispign tommder dreist, pouezus evit derc'hel frotadur kendalc'hus ha mirout ouzh distummadur termek. Al live personelaat-se a zo a-bouez e kemeriadoù ma vez kas ar sistemioù freñvañ betek o bevennoù termek alies.

Ar rezistañs ouzh an usadur a c'hell bezañ tonket resis ivez. Kenaozadoù SiC disheñvel ha tretiñ gorre a c'hell bezañ implijet evit tizhout ar c'hempouez c'hoantaet etre plakennoù freñv ha buhez pladenn, en ur suraat perzhioù frotadur mat-tre. Evit tud a-fet pourchas a glask componentes industriais de SiC evit freñvañ, da lavaret eo koustioù kelc'hiad-buhez bihanaet abalamour da nebeutoc'h a erlec'hiadennoù ha nebeutoc'h a amzer-paouez evit dreistkaout.

Ouzhpenn-se, ar personelaat a asten betek an design mekanikel. Sistemioù freñvañ keramikel deknikel a implij SiC a c'hell bezañ designet da spizadurioù mentoniel resis, o suraat emstaladur peurvat ha kengempred gant savouriezhioù kirri pe mekanikerezh zo. En o zouez emañ ar prederioù evit poentoù staliañ, daremprediñ gant kalibroù hag enframmadur sistem hollek. Natur skañv SiC, pa vez implijet a-ratozh dre design personelaet, a c'hell degas kalz da digreskiñ pouez sistem hollek, o gwellaat dinamik ar c'harbed pe o digreskiñ kargioù inerzh e mekanikerezh greantel.

E CAS new materials (SicSino), e komprenomp eo an personelaat an alc'hwez. Lec'hiet e Kêr Weifang, a gont evit ouzhpenn 80% eus produiñ silikiom karbid Sina en holl, SicSino a zo bet pouezus evit araokaat teknologiezh produiñ SiC abaoe 20 Rotorioù breñv karbid silikiom dre vras hag elfennoù war-c'hiz a respont da ezhommoù resis a-fet perzhioù, padusted hag enframmadur. Arbennikaet eo hor skipailh a-vicher a live uhel war broduiñ produioù SiC war-c'hiz, o dreiñ ezhommoù dibar ar pratikoù e diskoulmoù breñvañ a-feson hag a fiziañs.

Recurso	Breñvoù houarn teuzet hengounel	Breñvoù keramikel standard	Breñvoù karbid silikiom war-c'hiz (da skouer, eus SicSino)
Condutividade térmica	Moderado	Bom	Excelente
Rezistañs Douzañ	Justo	Bom	Dreistordinal
Pouez	Pounner	Skouilhetoc'h eget an houarn	Skouilhetoc'h kalz
Harz da steuziañ	Tu da steuziañ	Bom	Dreistordinal
Kendalc'husted ar perzhioù	Gallout a ra cheñch hervez an temperadur	Mat dre vras	Kendalc'hus-kenañ dre ur skeul temperadur ledan
Hirder ar vuhez	Berrinoc'h	Hirroc'h	Hirañ
Resistência à corrosão	Fall	Bom	Excelente
Live personelaat	Baixa	Moderado	Uhel (geometriezh, kenaozadur, echu gorre)
Aplicações típicas	Kirri-boutin standard	Kirri perzhioù	Kirri sport perzhioù uhel, redek, labour ponner, aerlestrerezh, industriel arbennikaet

Dre ar galloud-se da arbennikaat diskoulmoù e teu an elfennoù SiC war-c'hiz da vezañ un dibab strategiezh evit embregerezhioù a glask tizhout ur pal a genstrivañ dre berzhioù ha fiziañs breñvañ dreist.

Dibab an danvez mat: derezioù karbid silikiom pennañ evit arverioù breñvañ

N'eo ket krouet an holl garbid silikiom par, dreist-holl pa vez anv eus endro diaes ar sistemoù breñvañ. Pouezus-kenañ eo dibab derez pe kenaozadur SiC evit termeniñ perzhioù perzhioù diwezhañ ar pladennoù pe ar plakennoù breñv. Prosezioù produiñ hag aditivoù disheñvel a zegas danvezioù SiC gant perzhioù disheñvel, ar pezh a ra d'un nebeud anezho bezañ matoc'h evit arverioù breñvañ resis eget re all. Evit profissionais de compras técnicas hag ijinourien, pouezus-kenañ eo kompren an diforc'hioù-se evit spisaat an danvezioù araokaet evit breñvoù kirri pe sistemoù industriel.

Unan eus ar seurt SiC brudetañ implijet evit breñvañ perzhioù uhel eo Karbid Silikiom Nerzhataet gant Fibrennoù Karbon (C/SiC pe C/C-SiC). Ar c'henaozadurioù-se a gennerzh kaleter dreist hag ar stabilded termek eus ar karbid silikiom gant kaleter ha pouez skouilh ar fibrennoù karbon. Ar fibrennoù karbon a ra war-dro nerzhataat, gwellaat kaleter fraktur ar matriks keramikel ha pourchas un hent evit dispign gwrez c'hoazh efedusoc'h. Brudet eo pladennoù breñv C/SiC evit o harz dreistordinal da stok termek, o feurioù usadur izel da temperadurioù uhel, hag o c'hef-friadur kendalc'hus. Kavet e vezont alies e kirri dreist, arverioù motorsport, hag o kreskiñ e kirri perzhioù luks.

Karbid Silikiom Stag dre Freaktadur (RBSC pe SiSiC – Karbid Silikiom Silikiom Enflueret) zo un derez pouezus all. Produet eo SiSiC dre enflueriñ ur preform karbon pe SiC porus gant silikiom teuzet. Ar silikiom a freakt gant ar c'harbon evit stummañ SiC, hag an toulligoù a chom a vez leuniet gant metal silikiom. Degas a ra un danvez stank gant konduktivezh termek dreist abalamour da vezañs silikiom dieub, kaleter uhel, ha harz mat da usadur. Elfennoù breñv SiSiC a c'hall kinnig un diskoulm efedus a-fet koust evit arverioù a c'houlenn perzhioù termek uhel ha padusted, daoust ma c'hall bezañ bevennet o zemperadur oberiata gant poent teuziñ ar silikiom residual. CAS new materials (SicSino) a zalc'h un arbennikadur bras e teknologiezh RBSC, o kinnig elfennoù SiSiC arbennikaet arbennikaet evit ezhommoù industriel liesseurt, en o zouez senarioioù breñvañ arbennikaet potentiel.

Karbid Silikiom Sinteret (S-SiC) zo ur stumm SiC a bured uhel, produet dre sinteriñ poultrennoù SiC da demperadurioù uhel-kenañ, alies gant sikour aditivoù sinteriñ nann-oksid. S-SiC a ziskouez harz kimiek dreist, nerzh uhel da demperadurioù pellañ (betek 1600∘C pe uheloc'h), ha harz dreist da usadur ha da zibriñ. Daoust ma c'hall bezañ keroc'h da broduiñ, e bured hag e berzhioù e skeulioù temperadur uhelañ a ra anezhañ ur c'hannidad evit an arverioù breñvañ pellañ pe dezinoù breñv industriel resis lec'h m'eo ivez ur preder an diskuliadur kimiek. Portfoli teknologel SicSino, harpet gant Akademiezh Skiantoù Sina, a endalc'h teknikoù sinteriñ araokaet, a aotre produiñ elfennoù S-SiC a galite uhel.

Dibab etre an derezioù-se, ha potentiel formuladurioù arbennikaet all, a zepant eus un dielfennadur don eus ezhommoù an arver:

• Temperadur Oberiata Uc'hellañ: Hag-eñ e vo gwrezioù uhel pellañ ha padus gant ar breñvoù?
• Harz da Stok Termek: Pegen prim eo ar cheñchamantoù temperadur a vo eksperimantet gant ar breñvoù?
• Gortozadenn Buhez Usadur: Petra eo an etre-servij c'hoantaet evit an elfennoù breñv?
• Perzhioù Friadel: Hag-eñ ez eus ur c'hef-friadur resis pe ur stabilded rekis?
• Harz Da Stok/Kaleter: Hag-eñ eo tu an arver da stokoù (da skouer, er-maez eus an hent, industriel)?
• Bevennoù Koust: Petra eo ar budjed evit an elfennoù perzhioù uhel-se?

Kenlabourañ gant ur pourchaser gouiziek evel CAS new materials (SicSino) zo pouezus. N'eo ket hepken e kinnigomp ur skeul danvezioù SiC met pourchas a reomp ivez an arbennikadur teknikel evit sikour ac'hanoc'h da zibab an derez hag an dezign matoc'h evit ezhommoù ho sistem breñvañ resis, o suraat perzhioù ha talvoudegezh optimal. Hor prosez enframmet, eus dibab an danvez d'ar produ echuet, a warez e resevot elfennoù a glot rik gant ho spisaadennoù.

Tres evit Breñvañ Dreist: Prederioù Dezign ha Produiñ evit Sistemoù Breñv SiC

Treuzkemm eus danvezioù breñv hengounel da deknologiezh breñv karbid silikiom a endalc'h muioc'h eget un eskemm danvez hepken; rekis eo un doare arbennikaet da dezign ha da broduiñ. Perzhioù dibar SiC, daoust ma'z int avantageus-kenañ, a ginnig ivez daeloù hag okasioù disheñvel a rank bezañ pledet e-pad ar fazenn ijinouriezh evit suraat perzhioù, fiziañs ha produuster optimal eus pladennoù freñv SiC personelaet hag elfennoù kar.

Prederioù kempenn:

• Gerenciamento térmico: Daoust m'en deus SiC konduktivezh termek dreist, dezign hollek ar bladenn vrev (da skouer, kanolioù aeradur, gorread) a rank bezañ optimizet evit brasaat dispign gwrez. Implijet e vez alies Dielfennadur Elfennoù Fin (FEA) evit patromiñ emzalc'h termek dindan kondisionoù breñvañ liesseurt hag adreizhañ an dezign evit mirout ouzh gorre-dommañ lec'hel ha suraat friadur stabil.
• Dasparzh ar Strizh: Un danvez kreñv met bresk eo karbid silikiom. An dezinoù a rank merañ strizhioù gant preder, o tiwall diouzh kornioù lemm pe cheñchamantoù trumm e tevder a c'hallfe dont da vezañ poentoù loc'hañ evit frakturioù dindan kargadoù mekanikel pe termek. Radiusoù bras ha treuzkemmoù flour zo pouezus.
• Etreoberiata gant Elfennoù All: An dezign a rank kontañ evit stagadur ar bladenn vrev SiC ouzh bosell ar rod hag e etreoberiadur gant ar c'halibroù breñv hag ar plakennoù. Ledanadur termek disheñvel etre SiC ha danvezioù bosell metalek a rank bezañ pledet gant preder, o c'houlenn alies sistemoù muntiñ arbennikaet (da skouer, bobinoù bourdel) evit mirout ouzh strizh induet.
• Optimizadur ar Pouez: Daoust ma'z eo SiC skouilhet dre natur, strivoù dezign a rank optimizañ c'hoazh ar geometriezh evit lemel danvez didalvez hep en em gempromiñ gant nerzh pe perzhioù termek, o leviata da vat ar potentiel espern pouez.
• Perzhioù Akoustikel (NVH): Trouz, vibradur ha garvder (NVH) ar breñv zo perzhioù kritik eus eksperiañs an implijer. Dezign elfennoù breñv SiC, en o zouez o etreoberiadur gant plakennoù, a c'hall influansiñ perzhioù NVH. Patromoù frailhoù resis, chamfroñsoù, pe perzhioù damplañ a c'hallfe bezañ enframmet.

Argerzhioù Labourat:

Produiñ breñvoù keramikel perzhioù eus SiC zo ur prosez kemplezh, lies-pazenn. Metodoù boutin a endalc'h:

1. Proseziañ ha Stummañ ar Poultrenn: Poultrenn SiC a bured uhel a vez mesket gant ereerioù ha stummet en ur c'horf glas dre implijout teknikoù evel gwaskañ, teuler dre ruzañ, pe moullañ dre jilpañ, hervez kemplezhded ha volum ar pezh.
2. Sintradur/Emglev Dre Adwezhiadur:
   • Para Karbid Silikiom Sinteret (S-SiC), ar c'horf glas a vez sinteret da demperadurioù uhel-kenañ (alies >2000∘C) evit stankaat an danvez.
   • Para SiC Bondet dre Argerzh (RBSC/SiSiC), ur preform karbon-SiC porus a vez enflueret gant silikiom teuzet, a freakt gant ar c'harbon evit stummañ SiC ouzhpenn, o leuniañ an toulligoù.
   • Evit kenaozadurioù C/SiC, preformoù fibrennoù karbon a vez enflueret gant SiC, alies dre Enflueradur Dre Vapor Kimiek (CVI) pe enflueradur silikiom liñvel (LSI).
3. Mekaniañ/Malañ: Abalamour d'e galeter pellañ, mekaniañ SiC goude sinteriñ pe stagañ zo diaes ha rekis eo d'ar c'ustum dornerezh diamant. Implijet e vez malañ resis evit tizhout mentoù, gourfremmoù hag echu gorre diwezhañ.

CAS new materials (SicSino), lec'hiet e kalon rannvro produiñ SiC Sina e Kêr Weifang, a leviata e galloudoù teknologel bras, en o zouez teknologiezhioù danvez, prosez, dezign, muzuliañ hag evaluañ. An doare enframmet-se a aotre ac'hanomp da verañ kemplezhded produiñ elfennoù breñv SiC en un doare efedus. Hor skoazell he deus profet da ouzhpenn 10 embregerezh lec'hel, o gwellaat o galloudoù produiñ hag o frosezioù teknologel. Evit OEMoù ha dasparzherien a glask elfennoù breñv karbid silikiom dre vras pe diskoulmoù bourdel, SicSino a ginnig un avantage disheñvel dre e arbennikadur produiñ don hag e engouestl da galite, o suraat eo treuzkaset intent an dezign en un doare parfet e produioù perzhioù uhel ha padus.

Estágio de fabricação	Prederioù Pennañ evit Elfennoù Breñv SiC	Arbennikadur ha Skoazell SicSino
Dibab an Danvez	Derez SiC optimal (C/SiC, RBSC, S-SiC), pured, ment ar partikulennoù	Heñchañ war zibab an danvez diazezet war an arver, moned da boultrennoù ha formuladurioù SiC liesseurt a galite uhel.
Dezign an Elfennoù	Merañ termek, dielfennadur strizh, NVH, etreoberiadoù muntiñ	Dezign kenlabour, skoazell FEA, arbennikadur DFM (Dezign evit Produuster) evit pladennoù freñv SiC personelaet.
Stummañ/Stummañ	Stankder unvan, geometriezhioù kemplezh, bihanaat mekaniañ glas	Teknikañ stummañ araokaet a zere da dezinoù diskoù brasañ luziet ha da galite stabil.
Sinterañ/Liammat	Kontrol resis an temperadur, aergelc'h, tizhout stankder leun	Fornioù hag urzhiadur arnod arnevez evit perzhioù danvez optim. Arbennigouriezh war RBSC, S-SiC, ha kenaozadoù.
Usinadur resis	Pontoù diamant, tizhout gourfalc'hoù strizh ha stad gorre	Barregezhioù pondañ CNC araokaet, arbennigouriezh war usinadur keramik kalet da gourspesadurioù strizh.
Kontrolliñ Perzh	Resisted dre vent, onestete danvez, detektiñ diforc'hioù	NDT (Arnodiñ Nann-Distrujus) klok, metrologiezh, ha perzhiañ danvez.
Merañ ar Chadenn Bourc'hata	Bourc'hata danvez kriz, aozadur produiñ, pourvezadur stabil	Chadenn bourc'hata solius e-barzh hub Weifang SiC, oc'h asuriñ kasadur fizius evit diskoulmoù OEM SiC.

An doare-ober akrib-mañ da dezign ha da broduiñ zo diazez evit digeriñ galloud leun silikiom karbid e sistemoù brasañ araokaet.

Perfetiñ an Darempred: Stad ar Gorre, Gourfalc'hoù, ha Goude-Tretiñ evit Brasañ SiC

Perzhded ha padelezh sistemoù brasañ silikiom karbid n'int ket termenet nemet gant perzhioù danvez tolz ha dezign hollek; resisted arnod ar produiñ, dreist-holl a-zivout stad ar gorre, gourfalc'hoù dre vent, ha tretiñ goude ret, a c'hoari ur roll ken pouezus. An elfennoù-mañ a influens war-eeun perzhioù ar frotañ, tizh an dilastez, krouidigezh trouz, hag efedusted hollek pladennoù freñv SiC ha plakennoù. Evit ijinourien ha renerien bourc'hata oc'h ober war-dro echelonoù uhelañ ar perzhded brasañ, e ranker bezañ akrib-tre war an detalioù-mañ.

Resisted Dre Vent ha Gourfalc'hoù: Tizhout gourfalc'hoù dre vent strizh zo pouezus evit emzere dre ret elfennoù brasañ SiC e-barzh ar framm brasañ brasañ ledanoc'h. Ennañ emañ treuzkiz hollek ha tevder ar bladenn, plateiz ar gorreoù brasañ, ar c'hevredadezh etre ar gorreoù-mañ, ha lec'hiadur resis ha mentoù toulloù pe elfennoù staliañ. Deviadurioù a c'hell kas da broblemoù evel dilastez plakennoù digempouez, brasañ judder, dasparzh gwrez direizh, ha diaesterioù en aozadur. Dre ma'z eo kalet SiC, e ranker implijout dafaroù pondañ diamant arbennikaet hag urzhiadur arnod resis evit tizhout ar gourfalc'hoù-mañ. Gourfalc'hoù ordinal evit mentoù pouezus e diskoù brasañ SiC perzhded uhel a c'hell bezañ e-barzh tachenn dekmiliadoù mikron.

Acabamento da superfície: Stad gorre disk brasañ SiC zo un determinour diazez eus koefisient ar frotañ hag ar “bedding-in” arnod gant ar plakennoù brasañ. Ur gorre re zous a c'hell kas da frotañ diazez izeloc'h, tra ma c'hell ur gorre re garv kas da zilastez plakennoù buanaet. Un tekstur gorre optim, tizhet alies dre arnodioù pondañ ha lappañ kontrollet, a brouv ur stummadur treuzkas memes eus ar blakenn d'ar bladenn, ar pezh zo esensiel evit frotañ stabil ha rakwelet. Ar garvded gorre rekis (d.s., talvoudegezh Ra) zo spisaet ordinal dre diazez ar seurt danvez plakennoù brasañ implijet hag ar perzhioù brasañ c'hoantaet.

Ezhommoù Goude-Tretiñ: Hervez ar renk SiC spis hag an implij, pazennoù goude-tretiñ ouzhpenn a c'hell bezañ implijet evit gwellaat perzhded pe padelezh:

• Tretiñ an Erenn: Chamfrañ pe radiusañ erenoù lemm a c'hell sikour da virout ouzh drailhañ e-pad ar sturiñ, an installadur, pe an oberiadur, dre ma'z eo bresk SiC.
• Vedação: Evit renkoù SiC zo, dreist-holl ar re gant porositez rest eus ar seurt RBSC zo (daoust ma klask RBSC stankder uhel bihanaat an dra-mañ), serriñ ar gorre a c'hell gwellaat ar rezistañs da dreuzadur dourennek ha da zirynderezh, hag a c'hell gwellaat perzhioù an dilastez a-wechoù. Koulskoude, evit implijoù brasañ, porositez zo dezignet a-wechoù a-ratozh evit digaz pe emzalc'h frotañ spis.
• Goloioù (Nebeutoc'h Ordinal evit Diskoù, Muioc'h evit Elfennoù All): Daoust ma'z eo ar bladenn SiC he-unan rezistus-tre da zilastez, goloioù arbennikaet a c'hell bezañ soñjet evit elfennoù etreober all pe evit gwarez endro spis e degouezhioù pellañ, daoust ma n'eo ket ordinal evit gorre frotañ diazez diskoù brasañ SiC. Ar pouez a vez lakaet ordinal war perzhioù endalc'het SiC he-unan.
• Kempouezadur: Evel diskoù brasañ ordinal, diskoù brasañ SiC tizh uhel a c'hell rekis kempouezadur dinamikel evit dilemel vibradur hag asuriñ oberiadur dous, dreist-holl en implijoù kirri perzhded uhel.

E CAS new materials (SicSino), hor engouestl da galite a astenn d'ar pazennoù echuiñ ha goude-tretiñ pouezus-mañ. Dre implijout hor teknologiezhioù muzuliañ hag evaliañ araokaet, e asuromp e vez pep elfenn brasañ SiC personelaet a zere da gourspesadurioù dre vent ha stad gorre strizh rekis gant hor pratikoù. Hon arnod enframmet, eus danvez kriz d'ar produ poliset diwezhañ, a aotre kontrol akrib e pep pazenn. Ar resisted-mañ eo a aotre CAS new materials (SicSino) da gas componentes industriais de SiC e breñvoù keramikel perzhioù a bourvez perzhded brasañ stabil, fizius, ha dreist. Hon arbennigouriezh e produadur personelaet produioù silikiom karbid a dalvez e c'hellomp degemer rekisoù spis-tre evit gourfalc'hoù ha perzhioù gorre, pouezus evit OEMoù ha pourvezourien renk uhel.

Kompren ha spisaat an detalioù echuiñ-mañ zo pouezus evit brasañ ar gounid eus danvezioù araokaet evit breñvoù kirri ha sistemoù greantel, oc'h asuriñ e treuzkas avantajioù teorikel silikiom karbid e gounid perzhded gwirion er bed.

Merdeiñ ar Stankadennoù: Daeloù Ordinal ha Diskoulmoù e Lakaat e Pleustr ar Sistem Brasañ SiC

Daoust ma'z eo rediek avantajioù silikiom karbid evit sistemoù brasañ, n'eo ket hep daeloù e adopsi hag e lakaat e pleustr. Ijinourien, produerien, ha skipailhoù bourc'hata a rank bezañ war-evezh eus ar stankadennoù posubl-mañ evit enframmañ efedus teknologiezh brasañ SiC ha seveniñ e c'halloud leun. Dre chañs, araokadurioù kendalc'hus e skiant danvez, arnodioù produiñ, ha metodologiezhioù dezign, kaset war-raok alies gant embregerezhioù arbennikaet evel Novos materiais CAS (SicSino), a ginnig diskoulmoù efedus.

Daeloù Ordinal:

1. Fragilidade e resistência à fratura: Silikiom karbid zo ur geramik hag, evel keramik niverus, a ziskouez kaleter frakturañ izeloc'h e-keñver metaloù. Da lavaret eo e c'hell bezañ soujetoc'h da c'hwitadenn katastrofel eus domaj stok (d.s., eus restoù hent) pe m'eo soujet da gonzentrationoù stres pellañ.
   • Diskoulmoù:
     • Ijinouriezh Danvez: Diorren kenaozadoù SiC, evel Silikiom Karbid Nerzhet Fibren Garbon (C/SiC), a wellaat kaleter ha rezistañs da ledanaat frakturañ.
     • Kempenn optimizet: Dezign akrib evit bihanaat stres riserioù, enframmañ sistemoù staliañ plegañ, ha gwareziñ takadoù gwan. Analiz Elfennoù Fin (FEA) zo pouezus evit identifiañ ha bihanaat takadoù stres uhel.
     • Kontrol Kalite: Arnodiñ nann-distrujus (NDT) strizh evel skannerez X pe enselladur dre uson evit detektiñ diforc'hioù diabarzh a c'hell kas da c'hwitadenn.
2. Luzied hag Koust Produiñ: Kaleter pellañ SiC a lak diaes ha ker e usinadur. An temperadurioù uhel hag an dafar arbennikaet rekis evit arnodioù sinterañ pe treuzadur a gemer perzh ivez e koustioù produiñ uheloc'h e-keñver brasoù metalek ordinal.
   • Diskoulmoù:
     • Manufatura quase em forma de rede: Teknikañ stummañ araokaet (d.s., moullañ dre injektiñ, gwaskañ resis) evit produiñ elfennoù tostoc'h d'o stumm diwezhañ, oc'h izelaat an ezhomm evit usinadur ledan ha ker.
     • Otimização de processos: Gwellaat kendalc'hus e teknologiezhioù sinterañ ha treuzadur evit izelaat amzerioù ar c'helc'h hag implij energiezh.
     • Ekonomiezhioù Skal: Pa gresk an adopsi, ekonomiezhioù skeul e produadur danvez kriz ha produadur elfennoù a c'hell sikour da izelaat ar c'houstoù. CAS new materials (SicSino), lec'hiet e Kêr Weifang, kalon industriezh SiC Sina, a brofit eus hag a gemer perzh en ekosistem-mañ, oc'h ober war-dro pourvezadur componentes personalizados de carbeto de silício.
     • Arbennigouriezh Arbennikaet: Kenlabourat gant produerien SiC skiant-prenet evel SicSino, hag a berc'henn an dafar arbennikaet hag anaoudegezh arnod, a c'hell kas da broduiñ efedusoc'h ha marc'hadmatoc'h.
3. Santidigezh Stok Termek (e renkoù zo): Daoust ma'z eo dre vras dreist, renkoù SiC zo, ma n'int ket dibabet pe dezignet dre ret evit an implij, a c'hell bezañ soujet da stok termek ma'z int soujet da gradientoù temperadur pellañ buan ha garv.
   • Diskoulmoù:
     • Seleção de materiais: Dibab renkoù evel C/SiC gant rezistañs stok termek dreist dre endalc'h.
     • Dezign evit Merañ Termek: Asuriñ dispign gwrez efedus hag unvan evit mirout ouzh diforc'hioù temperadur pellañ a-dreuz an elfenn.
4. Enframmadur Sistem: Enframmañ diskoù brasañ SiC gant sistemoù kalibr ha hidraulikel zo a rekis soñjal mat elfennoù evel diforc'hioù ledanaat termek etre ar bladenn SiC hag elfennoù hub/kalibr metalek, hag asuriñ kevredadezh gant danvezioù plakennoù brasañ.
   • Diskoulmoù:
     • Sistemoù Staliañ Arbennikaet: Implijout bobinoù war-neuñv pe dafar staliañ plegañ all evit degemer ledanaat termek diforc'hel.
     • Kevredadezh Danvez Plakennoù: Dibab pe diorren danvezioù plakennoù brasañ optimizet evit labourat gant diskoù SiC evit tizhout frotañ, dilastez, ha perzhioù NVH (Trouz, Vibradur, Garvded) c'hoantaet.
     • Ijinouriezh Kenlabour: Kenlabour strizh etre pourvezour an elfenn SiC ha produer ar c'harbed/dafar zo esensiel. SicSino a zo lorc'hus eus e varregezh da labourat gant pratikoù war diskoulmoù enframmet.
5. Trouz, Vibradur, ha Garvded (NVH): Brasoù keramik, ennañ SiC, a c'hell diskouez perzhioù NVH disheñvel e-keñver brasoù ordinal a-wechoù, ar pezh a c'hell rekis elfennoù dezign spis pe toniadur.
   • Diskoulmoù:
     • Etrefac'h Disk/Plakenn Optimizet: Dezign akrib elfennoù gorre disk (skouerioù, toulloù) ha chamfroù plakennoù.
     • Teknologiezhioù Mougañ: Enframmadur shimoù mougañ pe argemmoù NVH all.
     • Pareañ Danvez: Arnodiñ ledan evit kavout pareañ danvez disk SiC ha plakenn optim.

Trec'hiñ an daeloù-mañ zo un arnod kendalc'hus. Novos materiais CAS (SicSino), gant e ziazez kreñv e barregezhioù skiantel ha teknologel Akademiezh Skiantoù Sina hag e skiant-prenet pleustrek e-barzh strollad greantel SiC Weifang, zo gouestlet da araokaat teknologiezh brasañ SiC. Kinnig a reomp elfennoù, met ivez an arbennigouriezh evit sikour pratikoù da verdeiñ al luzied-mañ, oc'h asuriñ lakaat e pleustr Bremsen keramikel uhel-galvek. Dre gant hor engouestl evit ar perzh hag an diskoulmoù personelaet e vezomp ur c'heveler a fiziañs evit mestroniañ galloud ar silikiom karbid.

Takad Da Gengejañ	Kudenn Voutin gant ar Bremsennoù SiC	Strategiezhioù Digreskiñ & Diskoulmoù Kinniget gant SicSino
Frailadur/Kaleter Torrañ	Darempred da zistruj dre stok pe da zastumadeg stris.	Dibab danvez (da skouer, kenaozadoù C/SiC), ijinouriezh dezign solius (FEA), kontrollerezh perzh NDT strizh. Kinnig a ra SicSino meur a live SiC ha skoazell dezign.
Koust ar Sevel & Kemplezhded	Usinadur diaes, tretiñ gant gwrez uhel.	Stummañ tost d'ar vent rik, gwellaat ar proses, implijout ekonomiezhioù pol SiC Weifang. Kinnig a ra SicSino diskoulmoù kevezus dre sevel araokaet ha prosesoù enframmet.
Darempred da Zistruj Termek	Frailhadur posupl dindan gradientoù termek pizh.	Dibab liveoù rezistañs da zistruj termek uhel (da skouer, C/SiC), dezign evit dispign gwrez unvan. Heñchañ a ra SicSino dibab danvez diazezet war goulennoù an arload.
Enframmadur ar Reizhiad	Ledanadur termek disheñvel, kenemglev pad.	Dezign reizhiadoù staliañ dereat (da skouer, dezignoù war-neuñv), kenlabour war dibab danvez pad brems. Kinnig a ra SicSino ijinouriezh kenlabour evit enframmadur didrouz diskoulmoù OEM SiC.
NVH (Trouz, Vibradur, Garvder)	Profil akoustikel disheñvel posupl eget ar bremsennoù metalek.	Perzhioù gorre plad gwellaet (fraeoù, chamferioù), heñchadur war pad kenstrollañ, diskoulmañ NVH kenlabour. Sikour a ra SicSino da ziorren diskoulmoù evit sioul ha didrouz reizhiadoù bremzañ keramikel teknikel.
Fiziañs ar Pourvezer & Arbennigiezh	Asuriñ perzh kendalc'hus ha skoazell deknikel.	SicSino, harpet gant CAS, a ginnig ur skipailh a-vicher a live uhel broadel, treuzkas teknologiezh prouet, hag un ekoreizhiad servij klok, o asuriñ perzh ha pourvez a fiziañs evit elfennoù breñv karbid silikiom dre vras.

Dre gejañ ouzh ar chalajoù-se en a-raok, e teu splannoc'h an hent evit degemer ledanoc'h ar silikiom karbid e reizhiadoù bremzañ, o tennat an hent evit karbedoù ha mekanerezhioù suroc'h, efedusoc'h, ha gant ur perzh uheloc'h.

Keveliañ evit ar Perzh Uhelañ: Dibab ar Pourvezer Silikiom Karbid Reizh evit ar Reizhiadoù Bremzañ

Enframmadur berzh ha perzh optimizet silikiom karbid e reizhiadoù bremzañ a zepend dreist-holl war barregezhioù, fiziañs, hag arbennigiezh pourvezer ar c'homponent SiC. Ken pouezus eo dibab ar c'heveler reizh hag en dibab ar live danvez reizh. Evit an ac'hiziterien deknikel, ar renerien pourchas, hag an ijinourien, e rank priziañ ar pourvezerien posupl ur priziadur klok eus o barregezh deknikel, kinnigoù danvez, prosesoù asuriñ perzh, barregezhioù personelaat, ha skoazell hir dermen.

Ar Prizioù Diazez evit Priziañ ur Pourvezer SiC:

1. Arbennigiezh Deknikel ha Barregezhioù R&D:
   • Bez' en deus ar pourvezer ur gompren splann eus skiant danvez silikiom karbid, en ur enderc'hel liveoù disheñvel (RBSC, S-SiC, kenaozadoù C/SiC) hag o ferzhioù spesifik a denn da arloadoù bremzañ (kas termek, rezistañs gwiskadur, kaleter torrañ)?
   • Bez' ez eus barregezhioù R&D en ti pe darempredoù kreñv gant ensavadurioù enklask evit chom e penn teknologiezh brasañ SiC?
   • Gallout a reont kinnig kuzuliadur arbennik war dibab danvez ha dezign komponent evit ho arload spesifik?
2. Barregezhioù Sevel ha Kontroll Proses:
   • Peseurt prosesoù sevel a implijont (da skouer, gwaskañ, sinterañ, enframmañ, malañ pizh)? Hag-eñ eo ar prosesoù-se eus ar c'hentañ hag e vezont kontrollañ mat?
   • Petra eo o c'hementad evit sevel pladennoù freñv SiC personelaet ha komponentoù all d'ar skeul ha kemplezhded rekis?
   • Penaos e vezont asuriñ kendalc'h ha adoberusted en o oberiadennoù sevel?
3. Asuriñ Perzh ha Testeniadennoù:
   • Peseurt reizhiadoù merañ perzh zo e plas (da skouer, ISO 9001)?
   • Petra eo o argerzhioù evit ensellat danvez krai, gwiriañ perzh e-pad ar proses, ha testañ ar produioù diwezhañ (en ur enderc'hel resisder mentoniel, reizhder danvez, NDT)?
   • Gallout a reont kinnig testeniadennoù danvez ha teulioù perzh spis evit componentes industriais de SiC?
4. Personelaat ha Skoazell Dezign:
   • Ken aes eo dezho degemer dezignoù ha spizadurioù personelaet?
   • Kinnig a reont dezign evit skoazell sevel (DFM) evit gwellaat ho dezignoù komponent evit produiñ SiC?
   • Gallout a reont sikour gant prototipañ ha diorren aditerativ evit breñvoù keramikel perzhioù?
5. Merañ ar Chadenn Bourveziañ ha Fiziañs:
   • Petra eo o istor evit bourveziañ d'an eur?
   • Penaos e vezont merañ o bourveziañ danvez krai hag o chadenn bourveziañ evit asuriñ kendalc'h?
   • Petra eo o c'hementad evit skeuliañ ar produiñ ma kresk ho goulenn evit elfennoù breñv karbid silikiom dre vras ?
6. Koust-Efedusted ha Termenoù Kas:
   • Daoust ma'z eo SiC un danvez prizius, hag-eñ e kinnig ar pourvezer prizioù kevezus hep lakaat perzh da c'hwitañ? Enderc'hel a ra-se priziañ koust hollek ar berc'henniezh, en ur enderc'hel buhez ha perzh ar c'homponent.
   • Petra eo o zermenoù kas boutin evit prototipañ ha produiñ a-vras?

Perak e vez merzet danvezioù nevez CAS (SicSino):

Enderc'hel a ra danvezioù nevez CAS (SicSino) meur a berzh kritik-se, o lakaat ac'hanomp da vezañ ur c'heveler ideal evit ho ezhommoù reizhiad bremzañ silikiom karbid.

• Arbennigiezh Dic'hortoz: Evel lod eus Park Nevezadur CAS (Weifang) hag o kenlabourat a-dost gant Kreizenn Treuzkas Teknologiezh Vroadel Akademiezh Skiantoù Sina (CAS), e kapitalizomp war barregezhioù skiantel, teknologel solius, hag ur poull donezonus pinvidik. Arbennikaet eo hor skipailh a-vicher a live uhel broadel e produiñ personelaet produioù SiC.
• Lec'hiadur Strategel: Lec'hiet e Kêr Weifang, pol produiñ lodennoù silikiom karbid personelaus Sina (ouzhpenn 80% eus ar produadur broadel), e vezomp benveg en araokadennoù teknologel lec'hel abaoe 2015. Kinnig a ra an ekoreizhiad-se moned d'ur chadenn bourveziañ darev ha labour ampart.
• Portfolio Teknologel Klok: Bez' hon eus ur roll teknologiezhioù ledan, o enderc'hel skiant danvez, ijinouriezh proses, gwellaat dezign, ha teknikoù muzuliañ & priziañ araokaet. Aotre a ra an hentenn enframmet-se, eus danvezioù betek produioù echuet, da gejañ ouzh ezhommoù personelaat lies evit diskoulmoù OEM SiC.
• Engouestl evit ar Perzh hag ar Fiziañs: Harpet hon eus ouzhpenn 10 embregerezh lec'hel, un testeni eus hon teknologiezh a fiziañs hag asuriñ perzh. Pal hon eus bourveziañ komponentoù silikiom karbid personelaet a berzh uheloc'h, kevezus ar c'houst.
• Skoazell Spektrum Leun: Ouzhpenn bourveziañ komponentoù, Novos materiais CAS (SicSino) a zo engouestlet da gas war-raok ar greanterezh SiC. Ma rankit sevel ur blantenn produiñ produioù silikiom karbid a-vicher en ho bro, e c'hallomp kinnig treuzkas teknologiezh evit produiñ SiC a-vicher, asambles gant ur roll klok servijoù raktres alc'hwez war ar stern, en ur enderc'hel dezign ar faktoriezh, pourchas dafar arbennikaet, staliañ, loc'hañ, ha produiñ dre esaou. Asuriñ a ra ar c'hinnig dibar-se ur postadur efedus, treuzfurmadur teknologiezh a fiziañs, hag ur c'henfeur enmont-ezmont asuret.

Dibab ur pourvezer evel danvezioù nevez CAS (SicSino) a dalvez muioc'h eget pourchas komponentoù hepken; a dalvez engouestlañ ur c'heveler gouiziek gouestlet d'ho berzh en implijout galloud treuzfurmiñ silikiom karbid e reizhiadoù bremzañ.

Goulennoù Poseet aliez (FAQ) diwar-benn Reizhiadoù Bremzañ Silikiom Karbid

Evel m'eo kresket ar c'hoant evit silikiom karbid evit sistemoù brasañ, , e kresk ivez ar goulennoù eus an ijinourien, arbennigourien bourveziañ, hag implijerien-ziwezhañ. Setu amañ un nebeud goulennoù boutin gant respontoù berr ha pleustrek:

1. Hag-eñ eo ar bremsennoù silikiom karbid keroc'h kalz eget ar bremsennoù hengounel, hag hag-eñ e talvont ar priz?

Ya, pladennoù freñv SiC ha komponentoù a zo keroc'h dre vras er penn-kentañ e-keñver ar bremsennoù houarn teuzet hengounel. Dont a ra-se eus ar prosesoù sevel kemplezhoc'h ha gourmandoc'h, en ur enderc'hel sinterañ pe enframmañ gant gwrez uhel hag usinadur diaes an danvez SiC kalet-kenañ.

Koulskoude, termenet eo ar “talvoudegezh” gant an arload ha koust hollek ar berc'henniezh (TCO). Evit ar karbedoù a berzh uhel (kirri sport, redek), arloadoù ponner, pe mekanerezh greantel gant kelc'hiadoù bremzañ gourmand, e vez aliezoc'h ar gounid evit ar c'houst kentañ. Enderc'hel a ra ar gounidoù-se:

• Pad buhez kalz hiroc'h: dibar. gallout a ra padout meur a wech hiroc'h eget ar rotorioù boas, o digreskiñ aliester erlerc'hiañ ha koustioù labour liammet.
• Perzh kendalc'hus: Digresk bremzañ izel memes dindan aozioù pizh, o kas da surentez ha rakwelusted gwellaet.
• Digresk pouez: Pouez izeloc'h digroget a wella ar sturiadur karbed, ar buanaat, ha posupl efedusted trelosk.
• Poultrenn brems digresket: Meur a formuladur brems SiC a brodu poultrenn brems disnet ha brein nebeutoc'h.
• Rezistañs breinadurezh: Rezistañs uhel en deus SiC ouzh breinadurezh eus holen hent ha glebor.

Evit ar c'hirri-boutin standart implijet evit mont-dont bemdeziek, gallout a ra ar jedad koust-gounid c'hoazh favouritaat ar bremsennoù hengounel. Koulskoude, evit an arloadoù ma'z eo ar perzh bremzañ, an dalc'husted, hag ar surentez dreist-holl, breñvoù keramikel perzhioù graet gant SiC a ginnig talvoudegezh dibar. Klask a ra danvezioù nevez CAS (SicSino) bourveziañ componentes personalizados de carbeto de silício dre implijout e arbennigiezh hag e lec'hiadur strategel e-barzh pol produiñ SiC Sina.

2. Penaos e vez keñveriet ar mirout bremsennoù SiC gant ar reizhiadoù bremzañ boas?

Digresket eo dre vras mirout ar reizhiadoù bremzañ SiC abalamour da rezistañs gwiskadur dibar ar pladennoù freñv SiC.

• Erlerc'hiañ Plad: Padout a ra ar pladennoù SiC pelloc'h, setu ne vezont erlerc'hiet ken aliez. Dezignet eo lod pladennoù SiC evit padout buhez lod komponentoù pe memes ar c'harbed e degouezhioù implij spesifik, daoust ma cheñch kalz-se.
• Erlerc'hiañ Pad: Daoust ma'z eo ar plad SiC dalc'hus-kenañ, e wisko ar padennoù brems (a c'hall bezañ pe get diazezet war SiC, kenaozadoù organek arbennikaet pe hanter-metalek aliez dezignet evit pladennoù SiC) hag e rankint bezañ erler
• Kemmoù Dourioù: Kemmoù dourioù ar brason a vo graet hervez ar steudadurioù a vez aliet gant saver ar c'harbed, daoust da natur ar metal.
• Ensavadur: Ret eo c'hoazh ober ensavadurioù gweled reoliek evit merzout sinoù usadur iskis, droug (ral eo evit ar pladennoù), pe kudennoù gant ar perzhioù staliañ, heñvel ouzh ar reizhiadoù boas.

Un dra da gemer e kont eo ma vez ur bladenn SiC distrujet (da skouer, gant un taol kreñv a lak ur fraktur da zont), ret e vez dindan ar c'hiz kemm anezhi kentoc'h eget adaozañ anezhi, ar pezh a c'hellfe bezañ un dibarzh evit pladennoù metalek zo. Koulskoude, izel eo ar riskl e vefe droug evel-se e-pad ar c'hiz boas abalamour da galeter an danvez hag e dezign solius.

3. Daoust ha gallout a reer adstaliañ brasonoù karbid silisiom war forzh peseurt karbed pe mekanik?

Adstaliañ teknologiezh brasañ SiC a c'heller ober evit kalz karbedoù ha mekanikoù, met n'eo ket atav un erlerc'hiadur eeun. Meur a dra a ranker kemer e kont:

• Klotañ ar Perzhioù: Ret eo d'ar pladennoù SiC bezañ kenempraet a-fet ment gant boselloù ha kalibroù ar rod a zo dija. Alies, un adstaliadur a implij ur c'hit a c'hell bezañ kalibroù nevez ha brasoc'h, dezagnet evit degemer pladennoù SiC ha gwellaat an efedusted.
• Distrewadur ar Brason: Kemm perzhioù brason a c'hell kemmañ distrewadur ar brason a-raok hag a-dreñv, ar pezh a c'hellfe goulenn reizhadurioù war ar reizhiad brason pe programm ECU (Unvez Kontrol Elektronek) e karbedoù a-vremañ evit derc'hel ur sturiadur surentez.
• Silindr Pennañ ha Reizhiad Hidraulikel: Ret eo d'ar silindr pennañ ha d'ar reizhiad hidraulikel a zo bezañ gouest da bourchas ar gwask hag an dislonkadur dourek dereat evit ar framm brason SiC nevez, dreist-holl ma vez implijet kalibroù brasoc'h.
• Kenempredadur ABS ha Kontrol Stabilete: Reizhiadoù brason a-enep-stouiñ (ABS) ha reizhiadoù Kontrol Stabilete Elektronek (ESC) kemplezh o deus ar c'harbedoù a-vremañ. Ret eo d'an holl gemmoù bras en doare brason bezañ kenempraet gant ar reizhiadoù-se.
• Koust: Kit adstaliañ evit reizhiadoù bremzañ keramikel teknikel a c'hell bezañ ker-ruz.

Aliet e vez dre vras e vefe graet adstaliadurioù evel-se gant kit dezagnet dreist-holl evit patrom ar c'harbed/mekanik gant saverien pe arbennigourien brudet. Evit diskoulmoù OEM SiC pe dezignoù nevez, CAS new materials (SicSino) a labour a-dost gant ar pratikoù evit suraat e vefe ar perzhioù brason SiC personelaet enframmet mat e dezign hollek ar reizhiad abaoe an deroù, o suraat efedusted ha surentez optim. Hon anaoudegezh arbennik war an dezign hag an teknologiezhioù muzuliañ & priziañ a zo pouezus evit enframmadurioù evel-se.

Klozadenn: Momentum Diarstop Karbid Silisiom er Brason A-ziaraok

Ar veaj dreist dremmwel silikiom karbid evit sistemoù brasañ, a ziskouez un danvez prest da addezveriañ ar standardoù e surentez, efedusted, ha padusted dreist d'un toullad bras a industriezhioù. Eus tizhioù loskus ar sportoù kirri betek goulennoù didruez an treuzdougerezh ponner ha goulennoù resis ar produerezh industriel, perzhioù brason SiC personelaet a ginnig ur strollad avantajioù hegredus: merañ termek dreist, rezistañs usadur dreistordinal, espernoù pouez bras, ha kendalc'husted efedusted didrouz.

Daoust ma'z eus daeloù liammet ouzh ar c'houst ha kemplezhded ar produerezh, an ijinouriezh kendalc'hus kaset war-raok gant embregerezhioù arbennikaet evel Novos materiais CAS (SicSino) a lak an deknologiezh a-ziaraok-se da vezañ aesoc'h da gaout ha da azasaat. Hon emzivad strategiek e Kêr Weifang, kreizenn produerezh karbid silisiom Sina, liammet gant hon kenlabour don gant Akademiezh Skiantoù Sina, a ro deomp an tu da bourchas nann hepken Rotorioù breñv karbid silikiom dre vras perzhioù personelaet

, met ivez skoazell deknikel ledan ha memes diskoulmoù alc'hwez en dorn evit diazezañ barregezhioù produerezh SiC. componentes industriais de SiCEvit ijinourien a glask al lamm war-raok en efedusted brason, evit merourien bourchas a glask talvoudegezh ha fiziañs hir dermen dre breñvoù keramikel perzhioù, hag evit OEM a glask pourchas o produioù gant