E bed an arloadoù greantel oberiant-kenañ, eo pouezus-kenañ dibab materiadoù evit surti padusted, efedusted, ha fiziusded. Materiadoù dougerezh boutin a c'hwit alies pa vezont dirak gwrezverkoù pellañ, endroioù goueziek, bec'hioù uhel, ha gourfennadurioù c'houeziek diaes. Setu amañ ma dougerezh karbid silikiom (SiC) dre arzh a zeu war wel evel un diskoulm treuzfurmus. Karbid silikiom, un deknikel solius keramik, a ginnig ur c'hevredad dibar a berzhioù a ra anezhañ ur c'hannidad dereat evit dougerezh a labour e bedoù greantel diaesañ. Adalek produiñ hanterezrouezher betek egorlestr ha proses kimiek, an dougerezhioù SiC a neveziñ penaos e pled an ijinourien ouzh ahelioù liammet ouzh ar frotenn, ar c'houezadur, ha vuhez oberiadurel.

E CAS new materials (SicSino), e implijomp hon skiant-prenet don e teknologiezh karbid silikiom evit pourchas diskoulmoù dougerezh SiC dre arzh gourfennataet da ezhommoù dibar hon kliented B2B, en o zouez prenerien dre vras, tud a brokuradur teknikel, OEM, ha dasparzherien. Lec'hiet e Kêr Weifang, kalon industriezh produiñ karbid silikiom Sina, a ra ouzhpenn 80% eus produadur SiC hollek ar vroad, SicSino a zo bet talvoudus evit araokaat teknologiezh produiñ SiC abaoe 2015. Hon darempred gant Park neveziñ CAS (Weifang), un dachenn servij neveziñ hag embregerezh broadel harpet gant Akademiezh skiantoù Sina (CAS), a ziskouez hon youl evit ar galite, an neveziñ, hag an dreistelezh deknologel. Aotren a reomp an industriezhioù dre bourchas pezhioù karbid silikiom dre arzh a-galite hag a gevezus-kenañ, harpet gant ur skipailh a-live gant ar vroad hag ur gompren klok eus skiant ar materiadoù, ijinouriezh ar prosesoù, ha tresañ.

Talvoudegezhioù pennañ an dou

An divizout da spisaat douilhoù karbid silikiom evit arverioù pouezus a zeu diwar ur bern perzhioù talvoudus e-keñver danvezioù boutin evel ar dir pe keramik all zoken. An araezioù-se a dalvez gwellaat an efedusted, digreskiñ an amzerioù paouez, ha diskargañ priz hollek ar berc'henniezh e meur a zegouezh greantel.

• Kaleter Dreistordinal ha Rezistañs da Zistruj dre Frotadur: Ar c'harbid silikiom a zo unan eus an danvezioù kaletañ a gaver war ar marc'had, da eil d'an diamant hepken. Ar galeter dreistordinal-se a dalvez rezistañs da zistruj dre frotadur dispar, da lavaret eo e c'hall douilhoù SiC talañ ouzh ar partikulennoù garv ha pouezioù darempred uhel hep koll danvez da vat. Dre se e vez ur vuhez servij kalz hiroc'h, dreist-holl pa vez saotradur partikulek pe diouer a druzoni.
• Estabilidade em Alta Temperatura: Er c'hontrol d'an douilhoù metalek a vlota hag a goll o ferzhioù mekanikel da liveoù gwrez uhel, douilhoù SiC a zalc'h o nerzh, kaleter, ha stabilder ment betek liveoù gwrez uhel-kenañ (a-us da 1400∘C evit liveoù zo alies). Dre se e vezont ret evit arverioù evel fornezioù gwrez uhel, turbineoù gaz, ha reizhiadoù skarzhañ.
• Rezistañs Korroziñ Dreist: SiC a ziskouez inertiezh kimiek dispar, o talañ ouzh argasadur meur a vedium korrozivel, en o zouez trenkennoù kreñv, alkaloù, hag ajañsoù oksidañ. Dre se e vez douilhoù SiC greantel mat-tre da implij e pampoù kimiek, meskerioù, hag aveadurioù all a implij dourennoù argasus ma vefe distrujet douilhoù metalek buan.
• Koefisient Frotadur Izel: Karbid silikiom a c'hall tizhout ur c'hoefisient frotadur izel-kenañ, dreist-holl pa vez implijet gant druzoniourien mat pe zoken e degouezhioù redek sec'h evit tresadennoù zo. Dre se e vez digresket ar c'hementad energiezh implijet, ar c'hementad gwrez produet, hag an distruj dre frotadur, o gwellaat efedusted an obererezh ha buhez an douilhoù c'hoazh.
• Nerzh Steuziek ha Gwask Uhel: Modul elastiek uhel (nerzh steuziek) SiC a surti minimizadur distummadur dindan bec'h, o tegas obererezh resis hag efedusted kendalc'hus. E nerzh gwask dispar a aotre douilhoù SiC da dalañ ouzh bec'hioù pounner hep c'hwitañ.
• Douester Izeloc'h: E-keñver ar dir, SiC a zo kalz skañvoc'h. An douester izeloc'h-se a zigresk nerzhioù kreizennel en arverioù tizh uhel, o aotren tizhioù obererezh uheloc'h hag o zigreskiñ ar bec'h war elfennoù liammet.
• Dibarzhioù Rezistivezh/Treuzkas Elektrek: Hervez al live hag argerzh produiñ, SiC a c'hall bezañ un insuler elektrek mat-tre pe un hantertreuzkas. Ar perzh-se a zo pouezus en arverioù ma ranker mirout pe merañ bolc'hadur elektrek pe red tredan dre an douilh, evel e motoù elektrek pe jenereitourien.
• Rezistañs Mat da Argasedur Termek: Daoust ma vez alies gwelet ar c'heramikoù evel frajil, liveoù zo eus SiC a ginnig rezistañs mat da argasedur termek, o aotren anezho da dalañ ouzh kemmoù gwrez prim hep torr.

An araezioù danvez naturel-se a ra douilhoù keramik efedus-kenañ graet gant karbid silikiom un dibab gwelloc'h evit greanterezhioù a glask kas bevennoù ar barregezh hag ar fiziañs oberiant pelloc'h. CAS new materials (SicSino) a zo arbennikaet war implij an araezioù-se evit degas diskoulmoù douilhoù SiC personelaet a zalc'h d'ar spisaadennoù strishañ.

Seurtoù Karbid Silikiom Implijet en Douilhoù hag o Ferzhioù

N'eo ket krouet an holl garbid silikiom en hevelep doare. Argerzhioù produiñ disheñvel a zegas liveoù SiC liesseurt gant mikrostrukturioù ha profiloù perzhioù disheñvel. Kompren an diforc'hioù-se a zo pouezus evit dibab an danvez mat-tre evit arverioù douilhoù resis. Ar seurtoù SiC boutinañ implijet evit douilhoù a zo Karbid Silikiom Sinteret (SSC) ha Karbid Silikiom Liammet dre Argemmesk (RBSC), anavezet ivez evel Karbid Silikiom Silikiom-Enfetret (SiSiC).

Karbid Silikiom Sinteret (SSC) a zo produet dre sinteriñ poultr SiC fin da liveoù gwrez uhel (a-us da 2000∘C alies), gant ajañsoù sinteriñ nann-oksid alies. An argerzh-se a zegas un danvez SiC unfas doues gant purder uhel-kenañ.

• Propriedades: Kaleter uhel-kenañ, rezistañs da zistruj dre frotadur dispar, rezistañs da gorrosion dreist a-dreuz ur skeul pH ledan, nerzh gwrez uhel, ha rezistañs mat da argasedur termek. SSC a ginnig dre vras an efedusted hollek wellañ evit arverioù douilhoù strishañ.
• Priziet ar muiañ evit: Arverioù a rank bezañ rezistañs uhel d'an distruj dre frotadur ha korrosion, liveoù gwrez uhel, hag endroioù purder uhel, evel pampoù kimiek, aveadurioù tretiñ hantertreuzkas, ha sielloù efedus-kenañ.

Karbid Silikiom Liammet dre Argemmesk (RBSC pe SiSiC) a zo kenderc'het dre enfetrañ ur c'hompakt porus graen SiC ha karbon gant silikiom teuzet. Ar silikiom a argemmesk gant ar c'harbon evit stummañ SiC nevez, a liamm graen SiC orin. An argerzh-se a lez silikiom frank dreist alies er mikrostruktur (8-15% d'ar c'hustum).

• Propriedades: Kaleter uhel ha rezistañs mat da zistruj dre frotadur (izeloc'h eget SSC un tammig dre vras), treuzkas termek dispar, nerzh mekanikel mat, ha priz produiñ izeloc'h e-keñver SSC. Bezoud silikiom frank a c'hall bevenniñ e implij en endroioù korrozivel-kenañ zo pe da liveoù gwrez uhel-kenañ ma c'hallfe ar silikiom teuziñ pe argemmeskiñ.
• Priziet ar muiañ evit: Arverioù ma vez treuzkas termek uhel talvoudus, ma vez ar priz ur sturier pouezus, ha ma vez an endro oberiant kompatibl gant silikiom frank. Da skouer douilhoù hag elfennoù e pampoù a implij sluri garv, sielloù mekanikel, hag elfennoù framm gwrez uhel zo.

Setu ur sell keñveriañ:

Propriedade	Karbid Silikiom Sinteret (SSC)	SiC Bondet dre Argerzh (RBSC/SiSiC)
Douester Tipikel	>3.10 g/cm3	3.02−3.10 g/cm3
Kaleter (Knoop)	2500−2800	2200−2500
Nerzh Fleksurel	400−550 MPa	350−450 MPa
Temperadur Impl	1600−1700∘C	1350−1380∘C
Condutividade térmica	80−120 W/mK	100−150 W/mK
Resistência à corrosão	Excelente	Mat (bevennet gant silikiom frank)
Pureza	hag implijerien-endro, e c'hall ar broduerien dizoleiñ liveoù nevez a resisted, tizh hag hirbadusted oberiant. Bezomp o sellet ouzh un nebeud arloadoù pennañ lec'h ma vez SK oc'h ober un diforc'h bras:	Endalc'h silikiom frank
Custo relativo	Uheloc'h	Izeloc'h

Novos materiais CAS (SicSino) a zo ar varregezh gantañ da sturiañ ar pratikoù e dibab al live SiC mat-tre evit o arverioù douilhoù. Hon anaoudegezh eus an diforc'hioù etre SSC, RBSC, ha stummadurioù SiC arbennikaet all, liammet gant hon barregezhioù produiñ solut, a aotre ac'hanomp da zegas diskoulmoù douilhoù SiC personelaet gwellaet evit an efedusted hag ar priz. Hon bezoud e Weifang, kreizenn produiñ SiC Sina, a ro deomp un hentenn bourchas darev hag ur wikefre labour barrek, o gwellaat c'hoazh hon barregezh da broduiñ elfennoù SiC efedus ha marc'had-mat.

Arverioù Douilhoù Karbid Silikiom a-Dreuz ar Greanterezhioù

Perzhioù dispar douilhoù karbid silikiom a ra anezho ret e meur a greanterezh ma c'hwit douilhoù hengounel pe ma kinnigont efedusted izeloc'h. O barregezh da labourat gant fiziañs dindan aozioù garv a dalvez produusted gwellaet, kenderc'hel izelaet, ha surentez gwellaet.

1. Tretiñ Kimiek:

• Aplicativos: Pampoù (pampoù red magnetek, pampoù motor boestoù), meskerioù, luskerioù, valvennoù, ha sielloù mekanikel a implij kimiek korrozivel, trenkennoù, alkaloù, ha sluri garv.
• Benefícios: Douilhoù rezistant d'ar gorrosion graet gant SiC a vir ouzh argasadur kimiek, o astenn buhez an aveadurioù pouezus. O rezistañs da zistruj dre frotadur a zo pouezus pa vez implijet sluri endalc'h partikulennoù kalet. SicSino a bourchas elfennoù douilhoù SiC personelaet evit kenderc'herien pampoù kimiek pennañ.

2. Eoul ha Gaz:

• Aplicativos: Binvioù toullañ don, motoù fank, pampoù evit implij dourennoù toullañ garv, hag elfennoù en aveadurioù dindan vor.
• Benefícios: Douilhoù SiC a ginnig rezistañs da zistruj dre frotadur hag erodiñ dreist en endroioù don garv merket gant pouezioù uhel, mediumoù garv, hag elfennoù korrozivel. O fiziañs a zo pouezus evit minimizañ amzer paouez ker en ergerzh hag er produiñ.

3. Kenderc'herezh Hantertreuzkas:

• Aplicativos: Pampoù goullo (pampoù turbomolekulel, pampoù sec'h), robotoù implij wafer, aveadurioù planadur mekanikel kimiek (CMP), ha mekanik resis all a labour en endroioù kimiek ultra-naet pe argasus.
• Benefícios: Liveoù purder uhel SiC a vir ouzh saotradur. O nerzh steuziek ha rezistañs da zistruj dre frotadur a surti fiñvadenn resis pouezus evit fardañ hantertreuzkas. Perzhioù insulañ elektrek a c'hall bezañ pouezus ivez.

4. Kirri hag Kirri Elektrek (KE):

• Aplicativos: Douilhoù turbocharger, sielloù pampoù dour, elfennoù e reizhiadoù brasañ efedus-kenañ, ha marteze e douilhoù motoù elektrek evit KE a rank bezañ tizh uhel hag insulañ elektrek.
• Benefícios: Barregezh gwrez uhel evit turbochargerioù, rezistañs da zistruj dre frotadur evit pampoù dour, ha perzhioù skañv evit efedusted hollek. E KE, perzhioù elektrek SiC a c'hall mirout ouzh distruj douilhoù diwar redioù kantren.

5. Aerlestrerezh ha Difenn:

• Aplicativos: Unanennoù galloud skoazell (APU), luskerioù, reizhiadoù gimbal, turbopampoù kefluskerioù roket, hag elfennoù all a rank bezañ fiziañs uhel e liveoù gwrez garv hag aozioù tizh uhel.
• Benefícios: Stabeled gwrez uhel skañv hag ar c'hementad nerzh steuziek-da-bouez mat-tre a zo pouezus evit arverioù aerlestrerezh. CAS new materials (SicSino) a labour gant pratikoù evit diorren elfennoù SiC arbennikaet a zalc'h da spisaadennoù aerlestrerezh strizh.

6. Produiñ Galloud:

• Aplicativos: Douilhoù e pampoù evit dour bouilher, reizhiadoù disulfuradur gaz flus (FGD), ha marteze en elfennoù turbine gwrez uhel.
• Benefícios: Rezistañs da liveoù gwrez uhel, gazoù flus korrozivel, ha ludu nij garv. Douilhoù SiC a c'hall gwellaat fiziañs aveadurioù pouezus ar greizenn galloud.

7. Mengleuzioù ha Tretiñ Mengleuzioù:

• Aplicativos: Pampoù sluri, hidrocycloneoù, hag aveadurioù all a implij mein ha mineraloù garv-kenañ.
• Benefícios: Ar rezistañs da zistruj dre frotadur dreist douilhoù SiC greantel a astenn buhez oberiant ar mekanik da vat en endroioù diaes-se, o zigreskiñ aliester ar genderc'hel ha koustioù.

8. Boued ha Farmaseutikel:

• Aplicativos: Douilhoù en aveadurioù tretiñ ma vez an hirded, ar rez
• Benefícios: Harz ouzh d'ar produioù-kannañ hag al liñvennoù implijet er prosesoù, ne saotr ket, hag e bad pell.

A-drugarez da liesseurted silikiom karbid e c'heller kinnig diskoulmoù savet diouzh ezhommoù pep hini evit an dachennoù disheñvel-se. Novos materiais CAS (SicSino), diazezet e Weifang – ur gêr ma kaver en tu-hont da 40 embregerezh produiñ SiC – ha gant skoazell greñv Akademiez Cinaat ar Skiantoù, emañ en ur lec'h dibar evit pourchas elfennoù dougen SiC personelaet a zalc'h kont eus daeioù resis pep greanterezh. A-drugarez d'hor prosesoù ha teknologiezhioù design ec'h arrijomp da respont da veur a ezhomm personelaat evit componentes técnicos de cerâmica.

Elfennoù da gemer e kont evit design ha fabrikadur dougenoù SiC personelaet

Kinkladur ha labourat dougenoù silikiom karbid personelaet a c'houlenn un doare-ober arbennik abalamour da berzhioù dibar ar c'heram abrazivel-mañ. Disheñvel diouzh ar metaloù eo ar SiC, kalet-kenañ ha bresk eo, ar pezh a levezon an dibaboù design, ar prosesoù usinerezh, hag an tolerañsoù a c'heller tizhout. Ret eo plediñ gant an elfennoù-se evit gallout implijout gwellañ perzhioù ar SiC ha suraat perzhioù dougenoù a c'heller fiziout enno.

Kemennoù Kinkladur Pennañ:

• Kargezh-harzh ha Dastumadeg Strishañsoù: Daoust ma'z eus ur rezistañs strishañs uhel gant ar SiC, izeloc'h eo e rezistañs d'an tennadur. Ret eo d'an designoù merañ mat dastumadegoù strishañsoù, o tilezel kornioù lemm pe kemmoù trumm e sekredoù-treuziñ a c'hellfe degas frakturioù. Implijout a reer alies Analiz an Elfennoù Termenet (AET) evit gwellaat an designoù ha rakwelet dasparzhioù strishañsoù.
• Renkadurioù Tizh (Talvoudegezh DN): An talvoudegezh DN (toull dougen e mm lieskementet gant RPM) zo un arameadur pouezus. A-drugarez da zouester izel ar SiC e c'heller tizhout tizhioù uheloc'h eget gant dir, met ret eo priziañ mat al lufrañ, dispign gwrez, ha stabilder dinamikel.
• Endro Oberiata:
  • Temperatura: Plediit gant an diledadur termikel hag ar riskl ma vefe stok termikel. Dleet eo d'an design degemer an diledadur disheñvel ma vez lakaet ar SiC gant danvezioù all.
  • Diskwelidigezh Kimiek: Daoust ma kinnig ar SiC ur rezistañs ledan a-enep d'ar goueriadur, liveoù resis a ra traoù disheñvel. An dibab etre SSC ha RBSC, da skouer, a c'hell bezañ diouzh an endro kimiek.
  • Lufrañ: Dougenoù SiC a c'hell labourat sec'h, gant lufrañ liñvenn proses, pe gant loufreñverezhioù boas. Al lufrañ (pe an diouer anezhañ) a levezon kalz an design hag ar perzhioù. Evit labourat sec'h, pouezus eo stumm gorre hag ar c'houblad danvezioù.
• Ezhommoù resisded:
  • Tolerâncias: Diaes eo tizhout tolerañsoù mentoniel ha geometrek strizh gant ar SiC abalamour d'e galeter met posubl eo gant teknikoù malañ ha lapañ araokaet. Toleradurioù boas evit dougenoù SiC resis a c'hell bezañ e live ar mikron.
  • Acabamento da superfície: Ur stumm gorre flour (talvoudegezh Ra izel) zo pouezus evit bihanaat ar frotañ hag an usadur, dreist-holl e lec'h ma vez labour sec'h pe lufret nebeut. Ar polissañ hag al lapañ a c'hell tizhout stummoù heñvel ouzh ur melezour.
• Fragilidade e resistência à fratura: Dleet eo d'an designoù enframmañ perzhioù a vihana riskl frakturioù bresk, evel chamfroñsoù, radiusoù, ha suraat dasparzhioù kargadoù unvan. Dleet eo d'ar prosesoù bodañ ha merañ kont eus ar breskter ivez.
• Fitiñsoù Etreferañs ha Mounterezh: Abalamour da startijenn uhel ha duktileder izel ar SiC, dleet eo jediñ ha kontrolliñ mat ar fitiñsoù etreferañs evit chom hep strishañ re an elfennoù keramel e-pad ar bodadeg. Kemmoù temperadur e-pad ar fitiñ a c'hell bezañ pouezus ivez.

Daeioù ha Diskoulmoù Fabrikadur:

• Usinerezh: Abalamour da galeter uhel ar SiC eo diaes ha ker e usinañ gant metodeoù boas. Malañ diamant, lapañ, polissañ, hag Usinerezh Dre Zispign Elektrek (UDZE) evit liveoù treuzkas a vez implijet alies.
• Stummañ Stummoù Kemplezh: Teknikeoù stummañ tost d'ar stumm net (da skouer, gwaskañ, teuler dre ruzañ, moullañ dre jiber evit korfoù glas) a vez kavet gwell evit bihanaat an usinerezh goude ar sinteradur.
• Kendeuziñ: Kendeuziñ SiC gant danvezioù all (da skouer, ahelioù metal pe lojeizoù) a c'houlenn teknikoù arbennik evel soudadur, fitiñ dre strinkadur, pe pegañ dre glud, pep hini gant he levezonoù design dezhi.

CAS new materials (SicSino) a zo barrek da dreizhañ ar c'hemplezhioù design ha fabrikadur-se. Hor skipailh a-vicher a-feson a zo arbennikaet war produiñ produioù silikiom karbid personelaet. Bez hon eus ur bern teknologiezhioù, en o zouez teknologiezhioù danvez, proses, design, muzuliañ, hag evaliañ, asambles gant ur proses enframmet eus an danvezioù d'ar produioù. Dre se e c'hellomp respont da veur a ezhomm personelaat evit dougenoù keramel SiC hag elfennoù keramel teknikel all. Kenlabourat a reomp gant hor pratikoù adalek deroù ar fazenn design, o kinnig skoazell DFM (Design evit ar Fabrikadur) evit suraat n'eo ket efedus-kenañ ar produ dibenn nemet koust-efedus da broduiñ ivez. A-drugarez d'hor skiant-prenet, savet dre skoazellañ ouzhpenn 10 embregerezh lec'hel gant hor teknologiezhioù e kreizenn SiC Weifang, e suraomp kalite a c'heller fiziout enni ha surded pourchas e Sina.

Perzhioù ha Padusted: Silikiom Karbid vs. Danvezioù Dougenoù Boas

Pa zibaber dougenoù evit implijoù diaes, pouezus eo keñveriañ perzhioù ha padusted an danvezioù. Dougenoù silikiom karbid (SiC) a ginnig ur roll perzhioù disheñvel diouzh danvezioù boas evel diri dougenoù (da skouer, dir krom 52100) pe keramoù araokaet all evel Zirkonia (ZrO2​) pe Silikiom Nitrid (Si3​N4​) e degouezhioù resis.

Recurso	Dir Dougenoù (da skouer, 52100)	Zirkonia (ZrO2​)	Silikiom Nitrid (Si3​N4​)	Carbeto de silício (SiC)
Kaleter	Alta	hag implijerien-endro, e c'hall ar broduerien dizoleiñ liveoù nevez a resisted, tizh hag hirbadusted oberiant. Bezomp o sellet ouzh un nebeud arloadoù pennañ lec'h ma vez SK oc'h ober un diforc'h bras:	Uhel-Kenan	Uhel-kenañ
Rezistañs Douzañ	Bom	Excelente	Excelente	Dreist
Resistência à corrosão	Paour da Grenn	Dreist (evit ar pep brasañ eus ar produioù kimiek)	Muito bom	Dreist (dreist-holl SSC)
Temperadur Max.	∼120−250∘C	∼400−500∘C	∼800−1000∘C	∼1350−1700∘C (diouzh al live)
Startijenn Frakturañ	Excelente	Bom	Muito bom	Moderado
Stankter	Uhel (∼7.8 g/cm3)	Krenn (∼6.0 g/cm3)	Izel (∼3.2 g/cm3)	Izel (∼3.1−3.2 g/cm3)
Diledadur Termikel	Moderado	Alta	Baixa	Baixa
Perzh Elektrek	Treuzkas	Insoner	Insoner	Insoner pe Hantertreuzkas
Ezhommoù Lufrañ	Alta	A c'hell labourat sec'h (bevennet)	A c'hell labourat sec'h (mat)	A c'hell labourat sec'h (dreist)
Custo relativo	Baixa	Alta	hag implijerien-endro, e c'hall ar broduerien dizoleiñ liveoù nevez a resisted, tizh hag hirbadusted oberiant. Bezomp o sellet ouzh un nebeud arloadoù pennañ lec'h ma vez SK oc'h ober un diforc'h bras:	Alta

Titouroù pouezus war ar Perzhioù hag ar Padusted:

• Endroioù Pellañ: Gwelloc'h-kalz eo ar SiC eget an dir en endroioù goueriadus, temperadur uhel, hag abrazivel. Daoust ma'z eo ar Si3​N4​ un danvez mat ivez, alies e vez un tu mat gant ar SiC (dreist-holl SSC) evit rezistañs kimiek garv ha temperadurioù uheloc'h.
• Hirder Buhez: En implijoù dereat, dougenoù keramel SiC a c'hell kinnig un hirder buhez lies gwech hini dougenoù dir, ar pezh a zegas prantadoù derc'hel-e-ratre bihanaet-kalz ha koustioù kelc'hiad-buhez izeloc'h. Gwir eo dreist-holl e degouezhioù lufret nebeut pe get e lec'h ma vije c'hwitet buan gant an dir.
• Oberiadur Tizh Uhel: Douester izel ar SiC hag ar Si3​N4​ e-keñver an dir a vihana nerzhioù dre greizenn, ar pezh a ra anezho danvezioù mat evit implijoù tizh uheloc'h. Startijenn uhel ar SiC a zegas stabilder ivez pa vez tizh.
• Nann-Magnetek hag Insoner Elektrek: Disheñvel diouzh an dir, dougenoù SiC zo nann-magnetek ha gallout a reont bezañ insonerioù elektrek mat-tre. Pouezus eo evit implijoù evel motoù elektrek evit mirout ouzh usinerezh dre zispign elektrek (UDZE) da zistruj gorreadoù an dougenoù.
• Barregezh Labourat Sec'h: Dougenoù SiC, dreist-holl ar re gant gorreadoù polissaet-kenañ, a ziskouez perzhioù dreist e degouezhioù labour sec'h pe lufret gant liñvenn-proses e lec'h ma ne c'heller ket implijout loufreñverezhioù boas pe ma saotrfent ar proses. Un avañtaj bras eo e-keñver dougenoù dir a c'houlenn lufrañ kendalc'hus d'ar c'hiz.
• Plediñ gant ar Breskter: An harz pennañ eus ar c'heramoù, en o zouez ar SiC, eo o startijenn frakturañ izeloc'h e-keñver an dir. Da lavaret eo e vezont aesoc'h da c'hwitañ dre stokadoù pe strishañsoù tennadur uhel. Ret eo designiñ, merañ, ha staliañ mat evit bihanaat ar riskl-se. Zirkonia a ginnig startijenn frakturañ gwelloc'h e-touez ar c'heramoù met a ra berzh war galeter ha rezistañs temperadur e-keñver SiC ha Si3​N4​.

Evit ijinourien ha merourien bourchas a briz dougenoù endro pellañ, an diviz a zeu alies da vezañ ur c'henverzh etre koust deroù ha perzhioù ha surded war hir dermen. Daoust ma c'hell bezañ ur c'houst deroù uheloc'h gant dougenoù SiC eget gant dir, o hirder servij ha bihanoc'h ezhomm derc'hel-e-ratre en degouezhioù garv a zegas alies ur c'houst perc'hennañ hollek izeloc'h.

CAS new materials (SicSino) a sikour ar pratikoù da gemer an divizoù gouiziekaet-se dre bourchas roadennoù danvez resis hag arbennikded implij resis. Hor barregezh da bersoneaat liveoù ha designoù SiC a suraat e kinnig an diskoulm dougen dibabet ar c'hempouez gwellañ etre perzhioù, padusted, ha koust evit ho dougen SiC greantel ezhommoù.

Dibab ar Pourchaser Dougenoù Silikiom Karbid Mat: Perak eo CAS new materials (SicSino) Ho Keveler Ideal

Selecionando o fornecedor certo para dougenoù silikiom karbid personelaet zo ken pouezus hag an dibab danvez e-unan. Barregezhioù teknikel ar pourchaser, arbennikded an danvez, sistemoù kontrolliñ kalite, ha skoazell ar pratikoù a c'hoari ur roll bouezus e berzh ho implij. Pa brizier kevelerien potañs evit componentes técnicos de cerâmica, pledit gant an elfennoù da-heul:

• Conhecimento e Gama de Materiais: Hag-eñv ez eus ur ouiziegezh don gant ar pourchaser eus liveoù SiC disheñvel (SSC, RBSC, h.a.) hag eus o dereadegezh evit implijoù liesseurt? Hag-eñv e c'hellont kinnig pe pourchas frammoù arbennikaet ma vez ezhomm?
• Capacidades de Personalização: Hag-eñv e c'hell ar pourchaser fabrikadur dougenoù diouzh ho spesadurioù design resis, en o zouez geometrioù kemplezh, tolerañsoù strizh, ha stummoù gorre resis? Hag-eñv e kinnigont skoazell design pe servijoù DFM (Design evit ar Fabrikadur)?
• Barregezh Fabrikadur: Petra eo o
• Kontrol kalite hag testeniadennoù: Peseurt reizhiadoù merañ ar c'halite (da skouer, ISO 9001) a zo e plas? Peseurt doareoù amprouiñ hag ensellout a vez implijet evit gwiriañ perzhioù an danvez ha resisder ar ventoù (da skouer, stankder, kaleter, amprouiñ kreñvder, ensellout CMM)?
• Suporte Técnico e Colaboração: Hag-eñ e kinnig an embregerezh skoazell ijinouriezh a-hed ar fazioù design, prototipañ ha produiñ? Hag-eñ int prest da genlabourat war implijoù diaes?
• Rekord ha skiant-prenet: Hag-eñ o deus ur roll-merket prouet o pourchas elfennoù SiC a-galite uhel d'ho industriezh pe evit implijoù heñvel? Hag-eñ e c'hellont pourchas studiadennoù kaz pe daveoù?
• Amzer produiñ ha fiziañs chadenn bourchas: Petra eo o amzerioù produiñ boas evit urzhiadoù personelaet? Pegen solius eo o chadenn bourchas evit danvezioù kriz ha produiñ?
• Marc'hadmatusted: Daoust ma'z eo ar c'halite dreist pep tra, an embregerezh a rank kinnig prizioù kevezus hep ober gaou da liveoù danvez pe produiñ.

Perak e vez merzet danvezioù nevez CAS (SicSino):

Danvezioù nevez CAS (SicSino) a zo e plas dibar evit bezañ ho c'henoberour priziusañ evit lagarioù ha tammoù karbid silikiom personelaet.

1. Lec'hiadur strategiezh ha soubidigezh en industriezh: Diazezet omp e Kêr Weifang, kreizenn anavezet produiñ tammoù karbid silikiom personelaet Sina. Ar rannvro-mañ a zegemer ouzhpenn 40 embregerezh SiC, o kontañ ouzhpenn 80% eus produadur SiC Sina. SicSino a zo bet un aktour pennañ abaoe 2015, o kas war-raok araokadennoù teknologel ha produadur bras e-barzh an ekoreizhiad-mañ.
2. Skoazell teknologel kreñv: Evel ul lodenn eus Park Nevezadur CAS (Weifang), SicSino a implij gallusterioù skiantel ha teknologel spouronus Akademiezh Skiantoù Sina (CAS). Hon diazez war greizenn treuzkas teknologiezh broadel CAS a surti roez da enklaskoù tal-ouzh-tal, skiant an danvezioù ha nevezadurioù ardivinkoù.
3. Conhecimento Interno Abrangente: En em walc'hiñ a reomp gant ur skipailh a-live uhel broadel arbennikaet war produadur SiC personelaet. Hon gallusterioù a c'holo ar spektrum a-bezh:
   • Tecnologia de materiais: Komprenadur don liveoù SiC hag o ferzhioù.
   • Tecnologia de processos: Arbennigouriezh e stummañ, sintrañ ha peurlipat resis.
   • Tecnologia de design: Skoazell design araokaet ha gallusterioù FEA.
   • Tecnologia de medição e avaliação: Kontrol kalite hag amprouiñ strizh.
   • Processo integrado: Merañ didroc'h adal danvezioù kriz betek produioù echuet.
4. Roll-merket prouet: Skoazellet hon eus gant berzh ouzhpenn 10 embregerezh lec'hel gant hon teknologiezhioù SiC araokaet, o tiskouez hon barregezh da bourchas disoc'hoù fetis ha kas kresk an industriezh war-raok.
5. Engouestl da galite ha koust efedusted: Hon doare-ober enframmet hag hon lec'hiadur strategiezh a aotren ac'hanomp da ginnig tammoù karbid silikiom personelaet a-galite uheloc'h ha koust kevezus e-barzh Sina. Sur a reomp kalite fizius ha surti bourchas.
6. Diskoulmoù alc'hwez en dorn ha Transferência de tecnologia: Ouzhpenn bourchas tammoù, danvezioù nevez CAS (SicSino) a zo engouestlet da gas gallusterioù SiC bedel war-raok. Ma'z oc'h o klask diazezañ ur plantenn broduiñ produioù karbid silikiom arbennik en ho bro, gallout a reomp pourchas treuzkas teknologiezh evit produadur SiC arbennik. Enni emañ ur roll a-bezh servijoù "raktres alc'hwez en dorn": design labouradeg, prenañ ardivinkoù arbennik, staliadur ha loc'hañ, ha produadur amprouiñ. Ar c'hinnig dibar-mañ a surti postadur efedus, treuzfurmadur teknologiezh fizius, hag ur feur moned-ermaez sur.

Dibab danvezioù nevez CAS (SicSino) a dalvez kenober gant un anataer hag un fizius produer lagarioù karbid silikiom hag a zo enframmet don e kalon an industriezh, skoazellet gant danvezioù skiantel a-live broadel, hag engouestlet da bourchas diskoulmoù klok adal tammoù personelaet betek staliadurioù labouradeg klok.

Sterioù Koust ha Soñjal en Amzer Produiñ evit Lagarioù SiC

Kompren ar sterioù hag a levezon koust hag amzer produiñ dougenoù silikiom karbid personelaet a zo pouezus evit budjetenniñ, raktresañ ha prenañ efedus. Abalamour da natur arbennik danvezioù SiC hag ardivinkoù produiñ, an tammoù-mañ a implij frammoù koust ha linennoù amzer disheñvel e-keñver lagarioù metalek boas.

Sterioù Koust Pennañ:

1. Live materiad:
   • Karbid Silikiom Sintret (SSC): Dre vras keroc'h abalamour da zanvezioù kriz purder uheloc'h, ardivinkoù sintrañ kemplezhoc'h, ha implij energiezh uheloc'h.
   • Karbid Silikiom Bondet Dre Reaktiñ (RBSC/SiSiC): Alies efedusoc'h a-gaoz da liveoù temperadur izeloc'h hag implij SiC kriz nebeutoc'h rafinet. Koulskoude, koust silikiom purder uhel evit enframmadur a c'hell bezañ ur ster.
   • Purder an Danvez Kriz ha Perzhioù ar Poultrenn: Poultrennoù SiC finoc'h ha purder uhel rekis evit lagarioù uhel perzh a zegas koustioù uheloc'h.
2. Kemplezhded ar Design hag ar Geometriezh:
   • Stummoù Luziet: Geometriezhioù kemplezh gant perzhioù diabarzh, mogerioù moan, pe stummoù nann-standard a rekis binvioù ha teknikoù stummañ arbennikaetoc'h, o kreskiñ ar c'houstioù.
   • Ment: Tammoù brasoc'h a lonk danvez ouzhpenn hag a c'hell rekis ardivinkoù produiñ brasoc'h hag arbennikaet, o levezoniñ ar c'houst. Tammoù bihanoc'h, resis-kenañ a c'hell bezañ ker ivez a-gaoz da zornata ha da ziaesterioù mekanikañ.
3. Gwirioù ha Peurlipat Gorre:
   • Gwirioù Strizh: Dazhout gwirioù ment ha geometriezh a-live mikron a rekis malañ resis, lipat ha metrologiezh ledan, hag a zo amzerlonker hag a ouzhpenn d'ar c'houst.
   • Rekisoù Peurlipat Gorre: Gorreoù lipet-kenañ pe dreist-lipet (talvoudoù Ra izel) evit frotañ ha gwaskañ izel a rekis meur a fazi peurlipat, o levezoniñ labour hag amzer mekanikañ en un doare sinifiadus.
4. Argerzhioù Labourat:
   • Stummañ Tost-Net: Ardivinkoù hag a brodu tammoù tostoc'h d'ar stumm echu (da skouer, moullañ dre injectañ evit tammoù glas) a c'hell digreskiñ mekanikañ ker hag amzerlonker war-lerc'h.
   • Disterder Mekanikañ: Kementad malañ diamant, lipat, pe EDM rekis a glot reizh gant ar c'houst.
5. Ment an Urzhiad (Kementad):
   • Ekonomiezhioù Skal: Produadurioù brasoc'h dre vras a aotren amortisañ gwelloc'h binvioù ha koustioù loc'hañ, o tegas prizioù izeloc'h dre unanenn.
   • Prototipañ ha Batchoù Bihan: Ar re-mañ a zo o tued da gaout koustioù uheloc'h dre unanenn a-gaoz da loc'hañ, binvioù personelaet, hag emelladenn ijinouriezh don.
6. Surti Kalite hag Amprouiñ:
   • Ensellout Strizh: NDT (Amprouiñ Nann-Distrujus) ledan, perzhiañ danvez, hag ensellout ment a ouzhpenn d'ar c'houst hollek met a zo pouezus evit surtiañ fiziañs en implijoù kritik.

Soñjal en Amzer Produiñ:

• Moned Da Gaout Danvez Kriz: Bourchas poultrennoù SiC arbennik pe danvezioù rakrener all a c'hell levezoniñ linennoù amzer a-wechoù.
• Design ha Fabbrikañ Binvioù: Evit designoù personelaet, krouiñ mouloù, dies, pe fixtures a c'hell kemer meur a sizhun.
• Argerzhioù Labourat:
  • Stummañ korf glas: devezhioù da sizhunioù hervez kemplezhded ha doare.
  • Sintrañ/Bondañ Dre Reaktiñ: A c'hell kemer meur a zevezh dre gelc'hiad, enni tommañ ha yenaat kontrollet.
  • Mekanikañ ha Peurlipat: Alies ar fazi amzerlonkusañ evit lagarioù SiC resis-kenañ, a c'hell kemer sizhunioù hervez kemplezhded ha gwirioù.
• Restr Urzhiadoù ha Barregezh: Karg labour an embregerezh ha barregezh moned da gaout a levezono linennoù amzer.
• Prototipañ e-keñver Produiñ: Prototipoù a c'hell kaout linennoù amzer berroc'h ma c'hell ardivinkoù bezañ buanaet, tra ma vo steuñvet produadurioù klok hervez barregezh hollek ha kemplezhded.
• Kontrol Kalite ha Kas: Ensellout diwezhañ ha kas etrebroadel (ma vez implijadus) a ouzhpenn d'al linenn amzer hollek ivez.

Linennoù amzer boas evit douilhoù SiC savet diouzh ar c'hiz a c'hell mont eus un nebeud sizhunioù evit urzhiadoù simploc'h, adurzhiadoù betek meur a viz evit designoù nevez kemplezh-kenañ, pe produadur ment bras.

Novos materiais CAS (SicSino) a labour en un doare treuzwelus gant kliented evit pourchas istimadurioù koust ha raktresadurioù linenn amzer gwirheñvel. Hon ardivink enframmet, adal bourchas danvez e-barzh kreizenn SiC Weifang betek produiñ araokaet ha kontrol kalite, a zo optimizet evit efedusted. Strivañ a reomp da ginnig priziañ kevezus evit douilhoù keramik efedus-kenañ hep ober gaou da galite ha fiziañs a esper hon pratikoù. Emelladenn abred gant hon skipailh teknikel e-pad ar fazi design a c'hell alies sikour da zizoleiñ troioù da optimizañ ar c'houst ha digreskiñ al linenn amzer.

FAQ (Goulennoù Goulennet Alies)

G1: Hag-eñ eo lagarioù karbid silikiom keroc'h sinifiadus eget lagarioù dir? R: Ya, koust prenañ kentañ douilhoù karbid silikiom a zo dre vras uheloc'h eget hini lagarioù dir standard. Hec'h eo a-gaoz d'an ardivinkoù produiñ kemplezhoc'h hag energiezh-kenañ evit SiC, koust danvezioù kriz purder uhel, hag ar mekanikañ arbennikaet (malañ diamant) rekis. Koulskoude, evit implijoù a implij temperadurioù pellañ, mediaoù brein, gwaskañ uhel, pe lec'h ma'z eo al lubañ diaes, lagarioù SiC a c'hell kinnig ur vuhez servij hiraet sinifiadus ha merañ digresket, o tegas ur C'houst Perc'henniezh Hollek (TCO) izeloc'h a-hed an amzer. Ar fiziañs gwellaet a c'hell mirout a-enep amzerioù paouez labour steuñvet ker ivez.

G2: Hag-eñ e rekis lagarioù SiC dornata pe ardivinkoù staliadur ispisial? R: Ya, a-gaoz da fraezhded danvezioù prierezh evel karbid silikiom, e rekiser preder ispisial e-pad dornata ha staliadur. Lagarioù SiC a zo nebeutoc'h pardonus da gargadoù stok, stok pe dizurzhiadur e-keñver lagarioù dir duktil. Soñjoù pennañ a endalc'h: * Evit mirout a-enep lezel da gouezhañ pe stokañ al lagarioù. * Implijout binvioù ha doareoù implijadus evit muntiñ (da skouer, gwaskañ gant kontrol resis, muntiñ termal). * Surtiañ dizurzhiadur reizh ar shaftoù hag an tiez evit mirout a-enep stankañ stres. * Jedeniñ mat fits etre evit mirout a-enep frailhañ. Danvezioù nevez CAS (SicSino) a c'hell pourchas renerezh war pleustroù gwellañ evit dornata ha staliañ ho lagarioù SiC personelaet evit surtiañ perzh ha padelezh optim.

G3: Hag-eñ e c'hell lagarioù karbid silikiom redek sec'h-kenañ hep lubañ ebet? R: Ya, unan eus avantajoù sinifiadus liveoù zo dougenoù keramel SiC, dreist-holl, dreist-holl graet gant Silikiom Karbid Sinteret (SSC) gant gorreoù poliset-tre, eo o barregezh da labourat sec'h pe gant nebeut a dourenn-luskañ evit ar proses. Ur c'hef-frotadur izel hag ur rezistañs usius ouzh an usadur zo gant SiC, ar pezh a aotre un emzalc'h emluskañ e koupladoù 'zo pe dre stummañ ur filmluskañ. Dre-se e vezont mat-tre evit ar c'hemeriadoù ma saotrofe louedennerezhioù boas ar produ (da skouer, tretiñ boued, fardañ hanterc'honduerioù) pe ne c'hellfent ket treuzvevañ d'an aozioù labour (da skouer, gwrezverkoù uhel-tre, goullo). Koulskoude, ar garg, an tizh hag aozioù an endro a zivizo diouzh ar fed e vefe dereat evit un oberiadur sec'h penn-da-benn.

G4: Pegeer greanterezhioù a gav ar muiañ a vad o implijout douilhoù SiC personelaet? R: Ar greanterezhioù a zegouezh a-gement gant aozioù oberiadur garv a wel ar muiañ a vad eus douilhoù SiC greantel. En o zouez emañ: * Processamento químico: Evit poumpoù ha meskerezed a dreta dourennoù daskrignus ha lestrachoù garv. * Tireoul & Gaz: Evit ostilhoù ha poumpoù toull-don en endroioù garv ha daskrignus. * Fabricação de semicondutores: Evit poumpoù goullo hag aveadurioù resis a c'houlenn purder uhel ha rezistañs ouzh an usadur. * Aerlestrerezh & Difen: Evit ar parzhioù a rank kaout stabilite gwrez uhel ha perzhioù skañv. * Geração de energia: Evit aveadurioù lakaet e darempred gant gwrezverkoù uhel hag isproduioù daskrignus. * Pep kemeriad ma c'hwit douilhoù hengounel re abred abalamour d'an usadur, d'an daskrignerezh, d'ar gwrezverkoù uhel pe d'an diouer a louedennerezh a gavio mad eus perzhioù dreist douilhoù SiC personelaet. CAS new materials (SicSino) a zo arbennikaet war aozañ diskoulmoù douilhoù SiC evit seurt rannoù diaes.

Klozadur: Talvoudegezh dibar Douilhoù Silikiom Karbid Personelaet en Endroioù Diaes

E gweledva an danvezioù araokaet, dougenoù silikiom karbid personelaet a chom a-bouez abalamour d'o barregezh dreist da labourat dindan aozioù a zegasfe da c'hwitadenn vuan erlec'hioù boas. O c'hevredad dibar a galeter, rezistañs ouzh an usadur, stabilite gwrez uhel hag inerted daskrignus a ra anezho an danvez dibabet evit ijinourien ha tud a-fet pourchas a stourm ouzh ar chalajoù greantel diaesañ. Adalek gwellaat fiziañs poumpoù kimiek betek aotren resisder e fardañ hanterc'honduerioù ha suraat padusted e kemeriadoù aerlestrerezh, douilhoù SiC a ginnig un hent da wellaat efedusted, ur vuhez servij astennet ha koustioù oberiadur bihanaet.

Dibab an danvez mat ha, ken pouezus all, ar pourchaser mat a zo kritik evit digeriñ ar binvidigezhioù-se. Novos materiais CAS (SicSino), lec'hiet a-ratozh e Weifang, kalon greanterezh SiC Sina, ha harpet gant Akademiezh Sina ar Skiantoù brudet, a ginnig n'eo ket parzhioù hepken met diskoulmoù klok. Hon arbennigezh don e skiant danvez SiC, design personelaet, fardañ resis ha suraat kalite a sura e resev hon arvalien dougenoù keramel SiC optimizet evit o ezhommoù ispisial. Pe e vefe ezhomm parzhioù douilhoù dre urzh pe e vefec'h o ergerzhet barregezh sevel ho barregezh produiñ SiC deoc'h dre hon programoù treuzkas teknologiezh "alc'hwez war ar vrec'h", SicSino eo ho parner fizius.

En ur vourc'hata e douilhoù silikiom karbid ijinouret personelaet a galite uhel, e c'hell ar greanterezhioù kas bevennoù an araokadur pelloc'h, tizhout fiziañs brasoc'h, hag a-benn ar fin gounit ur bord kenstriverezh en ur marc'had bedel a zeu da vezañ diaesoc'h-diaesañ. Ho pediñ a reomp da zaremprediñ CAS new materials (SicSino) evit ergerzhet penaos e c'hell hon diskoulmoù silikiom karbid araokaet sevel ho kemeriadoù.