R-SiC
속성 및 적용 분야
실리콘 카바이드는 고성능 소재 중 탁월한 선택입니다.
실리콘 카바이드는 놀라운 성능 특성을 가지고 있습니다. 경도가 매우 높고 내마모성이 강합니다. 열전도율이 높아 방열 성능이 뛰어납니다. 또한 화학적 안정성이 우수하고 부식에 강합니다.
R-SiC
재결정화 실리콘 카바이드
재결정화 탄화규소(R-SiC)는 경도가 다이아몬드 다음으로 높은 2000°C 이상의 고온에서 형성된 고성능 소재로 고온 강도, 강한 내식성, 우수한 내산화성, 우수한 내열충격성 등 SiC의 우수한 특성을 다수 보유하고 있습니다.
속성
높은 경도
모스 경도는 9.2-9.5로 다이아몬드와 입방정 질화 붕소에 이어 두 번째로 높아 내마모성 부품 제조에 적합합니다.
높은 강도
고온에서도 높은 강도를 유지하며, 1000°C에서 굽힘 강도는 실온 값의 80%-90%에 달합니다.
높은 열 전도성
20°C에서 170-220W/(m-K)의 열전도율로 열 방출이 뛰어나 효율적인 열 전달이 필요한 부품에 이상적입니다.
낮은 열팽창 계수
4.0×10-⁶-4.5×10-⁶/°C(20-1000°C)의 열팽창 계수로 급격한 온도 변화에서도 뛰어난 열충격 저항성과 치수 안정성을 보장합니다.
화학적 안정성
상온에서 대부분의 산과 알칼리에 화학적으로 불활성이며 고온에서만 강력한 산화제와 반응하여 열악한 화학 환경에 적합합니다.
내식성
용융 금속 및 염분에 대한 내성이 있어 야금 및 화학 산업에 널리 적용됩니다.
우수한 전기적 특성
고온 용광로 발열체로 사용하기 위한 높은 저항률(1600°C에서 1.0×10-³-1.5×10-³ Ω-m)과 반도체 특성으로 전자 장치에 적용할 수 있습니다.
적용 분야
반도체 및 태양광 산업
실리콘/SiC 단결정 성장
쿼츠 도가니 지지대: 탄소 오염 없이 1500°C에서 실리콘 잉곳 성장을 유지합니다(0% 무탄소 실리콘).
SiC 결정 성장로 구성 요소: 4H-SiC 에피택셜 웨이퍼 생산에서 결함 밀도(예: 전위)를 줄입니다.
에피택시 공정 장비
CVD 챔버 서셉터: 웨이퍼 표면에 균일한 증착을 보장하기 위해 1600°C를 견뎌냅니다.
고온 산업 장비
진공로 발열체
최대 2000°C의 불활성 대기에서 탄소 오염을 피하면서 흑연 소자를 교체합니다(예: 사파이어 단결정 용광로).
복사 튜브 및 열교환기
침탄로 방열 튜브는 8년(금속 튜브의 경우 1~2년) 동안 지속되며 연도 가스 폐열 회수 장치는 입자 마모에 강합니다.
원자력 및 항공우주
원자로 부품
고온 가스 냉각 원자로용 연료 피복재로, 중성자 조사 및 CO₂ 부식(≤1600°C)을 견뎌냅니다.
우주선 열 보호
1800°C의 공기역학적 가열을 견디는 재진입 차량용 열 차단 코팅 기판(예: 중국의 창어 달 탐사선).
전자 기기 열 관리
고전력 칩 기판
5G 기지국 증폭기 모듈 기판은 열전도율이 170-220W/(m-K로 알루미늄보다 3배 더 효율적입니다.
LED 방열판
고휘도 LED 패키징의 금속을 교체하여 열팽창 불일치를 제거합니다.
특수 세라믹 및 광학
레이저 윈도우 및 렌즈
투과율이 95%를 초과하는 CO₂ 레이저 출력 창, 200W/cm² 열 유속에 대한 내성.
고주파 디바이스 패키징
높은 열전도율과 낮은 유전 손실(ε≈4.5)을 결합한 레이더 레이돔 소재.
화학 및 야금 산업
용융 금속 취급 장비
1000°C 아연 증기 부식에 강한 아연 제련 증류 냄비(흑연보다 3배 더 긴 수명).
부식 방지 원자로 라이너
Cl₂ 및 HCl 가스 침식에 강한 염산 합성로 라이너.
선택 권장 사항
이상적인 대상
초고온(>1600°C) 또는 고순도 환경.
열 전도성 및 화학적 안정성에 대한 중요한 요구 사항.
극한의 열 사이클(예: 원자로)에 장기간 노출되는 경우.
대안
1600°C 미만의 예산에는 SiSiC(실리콘화 탄화규소), 비용에 민감한 복잡한 형상에는 RBSiC(반응 결합 탄화규소)가 적합합니다."
제품 예시
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